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J-GLOBAL ID：201602264325709545   整理番号：16A0826433

SIO_2/SI基板上に熱化学気相堆積法によりグラフェンを直接成長させた。【JST・京大機械翻訳】

Direct growth of graphene on SiO_2/Si substrates by thermal CVD

著者 (7件)： Chen Caiyun (Faculty of Materials Science and Engineering,Kunming University of Science and Technology) ,  Yu Xiaohua (Faculty of Materials Science and Engineering,Kunming University of Science and Technology) ,  Dai Dan (Ningbo Institute of Industrial Technology,Chinese Academy of Sciences) ,  Jiang Nan (Ningbo Institute of Industrial Technology,Chinese Academy of Sciences) ,  Zhan Zhaolin (Faculty of Materials Science and Engineering,Kunming University of Science and Technology) ,  Liu Zhong (Faculty of Materials Science and Engineering,Kunming University of Science and Technology) ,  Liu Jianxiong (Faculty of Materials Science and Engineering,Kunming University of Science and Technology)
資料名： Cailiao Rechuli Xuebao  (Cailiao Rechuli Xuebao)
巻： 37  号： 1  ページ： 205-208  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2127A  ISSN： 1009-6264  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 化学蒸着法を用いて,SIO_2/SIを基板として、ニッケル膜は触媒層である,グラフェンの成長に及ぼす異なる触媒層厚さの影響を研究した。ラマンスペクトルを選択し,グラフェンの層数と品質を,透過型電子顕微鏡などの手段によりキャラクタリゼーションした。結果はNI膜厚の増加に伴い,グラフェンの欠陥は減少し,また層数も減少し,NI膜の厚さが300NMである場合,単層グラフェンのSIO_2/SI基板上で高品質を得ることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  膜厚 ,  *グラフェン ,  品質 ,  ニッケル ,  透過型電子顕微鏡 ,  キャラクタリゼーション ,  *化学蒸着
準シソーラス用語： 高品質 ,  単層グラフェン ,  触媒層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： graphene ,  SiO_2/Si ,  Ni film ,  thermal CVD

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  熱化学 ,  気相堆積 ,  グラフェン ,  成長