文献

J-GLOBAL ID：201602265735534546   整理番号：16A1000900

紫外光検出器のための熱酸化及び水熱成長プロセスによるp-NiO/n-ZnOヘテロ接合デバイスの作製

Fabrication of p-NiO/n-ZnO heterojunction devices for ultraviolet photodetectors via thermal oxidation and hydrothermal growth processes

著者 (15件)： Luo Yingmin (School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, Dalian, People’s Republic of China) ,  Yin Bing (School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, Dalian, People’s Republic of China) ,  Yin Bing (The Key Laboratory for Micro/Nano Technology and System of Liaoning Province, Dalian University of Technology, Dalian, People’s Republic of China) ,  Zhang Heqiu (School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, Dalian, People’s Republic of China) ,  Zhang Heqiu (The Key Laboratory for Micro/Nano Technology and System of Liaoning Province, Dalian University of Technology, Dalian, People’s Republic of China) ,  Qiu Yu (School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, Dalian, People’s Republic of China) ,  Qiu Yu (The Key Laboratory for Micro/Nano Technology and System of Liaoning Province, Dalian University of Technology, Dalian, People’s Republic of China) ,  Lei Jixue (School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, Dalian, People’s Republic of China) ,  Lei Jixue (The Key Laboratory for Micro/Nano Technology and System of Liaoning Province, Dalian University of Technology, Dalian, People’s Republic of China) ,  Chang Yue (School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, Dalian, People’s Republic of China) ,  Chang Yue (The Key Laboratory for Micro/Nano Technology and System of Liaoning Province, Dalian University of Technology, Dalian, People’s Republic of China) ,  Zhao Yu (School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, Dalian, People’s Republic of China) ,  Ji Jiuyu (School of Information and Control Engineering, Liaoning Shihua University, Fushun, People’s Republic of China) ,  Hu Lizhong (School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, Dalian, People’s Republic of China) ,  Hu Lizhong (The Key Laboratory for Micro/Nano Technology and System of Liaoning Province, Dalian University of Technology, Dalian, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27  号： 3  ページ： 2342-2348  発行年： 2016年03月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,熱酸化及び水熱成長プロセスを用いて,p-NiO/n-ZnOヘテロ構造を作製した。p-NiO膜を種々の温度で酸化した。X線回折,走査電子顕微鏡,エネルギー分散型X線分光分析及び紫外可視スペクトル分析を用いて,p-NiO/n-ZnOヘテロ構造を評価した。その結果,より高温で酸化されたNiO膜は,より広い光学バンドギャップとより低い欠陥密度を持つことが示唆された。特に,種々の温度で酸化された紫外光検出器の光応答特性を比較することによって,酸化温度が光応答時間に大きな影響を与えることが示唆される。酸化温度の上昇と共にNiO膜の欠陥密度が減少する。欠陥密度が減少するにつれて,減衰時間が減少するので,欠陥密度,言い換えれば,酸化温度は,光応答特性に影響する。この研究は,安価で大規模な方法でp-NiO/n-ZnO紫外光検出器を設計し改善する貴重な指針として役立つ可能性がある。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *光検出器 ,  *紫外線 ,  *ヘテロ接合 ,  熱酸化 ,  水熱合成 ,  酸化ニッケル ,  酸化亜鉛 ,  素子構造 ,  走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  X線回折 ,  光透過 ,  電流電圧特性 ,  光学ギャップ ,  欠陥密度

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (9件)： 紫外光 ,  検出器 ,  熱酸化 ,  水 ,  成長 ,  プロセス ,  ZnO ,  ヘテロ接合 ,  作製