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J-GLOBAL ID：201602266769681546   整理番号：16A1273504

発光van der Waalsヘテロ接合へのスピン注入によるバレイ分極

Valley Polarization by Spin Injection in a Light-Emitting van der Waals Heterojunction

著者 (5件)： SANCHEZ Oriol Lopez (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  OVCHINNIKOV Dmitry (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  MISRA Shikhar (Indian Inst. of Technol. (IIT), Kanpur, IND) ,  ALLAIN Adrien (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  KIS Andras (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 16  号： 9  ページ： 5792-5797  発行年： 2016年09月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元的な半導体,遷移金属ジカルコゲナイド(TMDC)においてスピン注入とその結果であるバレイ分極を,WSe₂とMoS₂のvan der Waalsヘテロ接合に基づく発光ダイオード(LED)を用いて実証した。強磁性(パーマロイ)電極とWSe₂間のSchottky障壁を通過するスピン分極したキャリアの注入と二次元TMDC中の輸送をLEDからのエレクトロルミネセンス(EL)により示し,ELの円偏光性をバレイ分極に帰し,ELの偏光度を外部磁場により調節できることを示した。スピン注入の実証とバレイ分極の磁電制御により,半導体TMDCにおいてスピン-バレイロッキングに基づいた光励起無しのバレイトロニクスとスピンを組み合わせた素子の実現可能性を示した。

シソーラス用語： *カルコゲン化物 ,  *遷移金属化合物 ,  セレン化物 ,  タングステン化合物 ,  硫化モリブデン ,  *ヘテロ接合 ,  van der Waals力 ,  パーマロイ ,  強磁性体 ,  注入 ,  *スピン分極 ,  発光ダイオード ,  エレクトロルミネセンス ,  円偏光 ,  外部磁場 ,  分極 ,  偏光
準シソーラス用語： LED ,  スピン注入 ,  セレン化タングステン ,  *バレイ分極 ,  二硫化モリブデン ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  偏光度

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (4件)： VAN ,  ヘテロ接合 ,  スピン注入 ,  分極