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J-GLOBAL ID：201602268031717133   整理番号：16A1364208

全溶液処理酸化物薄膜トランジスタにおけるソース/ドレイン電極のための燃焼合成酸化インジウムスズ(ITO)薄膜

Combustion synthesized indium-tin-oxide (ITO) thin film for source/drain electrodes in all solution-processed oxide thin-film transistors

著者 (10件)： Tue Phan Trong (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, Nomi, Ishikawa, Japan) ,  Tue Phan Trong (Core Research for Evolution Science and Technology (CREST), Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi, Saitama, Japan) ,  Tue Phan Trong (ERATO Shimoda Nano-Liquid Process Project, Japan Science and Technology Agency, Nomi, Ishikawa, Japan) ,  Inoue Satoshi (Green Devices Research Center, Japan Advanced Institute of Science and Technology, Nomi, Ishikawa, Japan) ,  Inoue Satoshi (ERATO Shimoda Nano-Liquid Process Project, Japan Science and Technology Agency, Nomi, Ishikawa, Japan) ,  Takamura Yuzuru (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, Nomi, Ishikawa, Japan) ,  Takamura Yuzuru (Core Research for Evolution Science and Technology (CREST), Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi, Saitama, Japan) ,  Shimoda Tatsuya (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, Nomi, Ishikawa, Japan) ,  Shimoda Tatsuya (Green Devices Research Center, Japan Advanced Institute of Science and Technology, Nomi, Ishikawa, Japan) ,  Shimoda Tatsuya (ERATO Shimoda Nano-Liquid Process Project, Japan Science and Technology Agency, Nomi, Ishikawa, Japan)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 122  号： 6  ページ： Article:623,1-8  発行年： 2016年06月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液処理非晶質ジルコニウム-インジウム-亜鉛-酸化物TFTにおけるソース/ドレイン(S/D)電極のための,良く知られた透明導電性酸化物のITO薄膜の燃焼溶液合成(SCS)を報告した。レドックスに基づく燃焼合成アプローチを,燃料としてのアセチルアセトンと酸化剤としての金属硝酸塩を用いて,ITO薄膜に応用した。SCS-ITO前駆体溶液及び薄膜の構造的及び電気的特性を,スズ濃度,インジウム金属前駆体,及び温度,時間,周囲雰囲気のようなアニーリング条件を変えて系統的に研究した。最適条件において,SCS-ITO薄膜が,高い結晶品質,原子的に滑らかな表面(RMS~4.1Å),及び低電気抵抗(4.2×10^-4Ωcm)を示すことがわかった。S/D電極としてSCS-ITO膜を使用したTFTは,ヒステリシスの無視し得る優れた電気的特性を示した。得られたオンオフ電流比,サブ閾値スイング因子,サブ閾値電圧,及び電界効果移動度は,それぞれ,5×10⁷,0.43V/decade,0.7V,及び2.1cm²/Vsであった。SCS-ITO TFTの性能及び安定性は,スパッタITO TFTのそれらと同程度であったが,SCS-ITO膜が,全溶液処理酸化物TFTに対する有望な候補であることは強調されるべきである。Copyright 2016 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *ジルコニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *電極 ,  *酸化インジウムスズ ,  *焼なまし ,  比率 ,  性能指数 ,  *酸化物 ,  燃焼合成 ,  非晶質半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *溶液成長 ,  *金属酸化物 ,  キャリア移動度 ,  電気抵抗率 ,  脂肪族ケトン ,  ジケトン
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  サブ閾値スイング

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： アセチルアセトン

タイトルに関連する用語 (9件)： 溶液処理 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  ソース ,  ドレイン ,  燃焼合成 ,  酸化インジウムスズ ,  ITO ,  薄膜