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J-GLOBAL ID：201602268108716051   整理番号：16A1204732

MSQ層間誘電体を用いたキャビティゲート構造を持つミリ波GaNH EMT【Powered by NICT】

Millimeter-Wave GaN HEMTs With Cavity-Gate Structure Using MSQ-Based Inter-Layer Dielectric

著者 (8件)： Ozaki Shiro (Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan) ,  Makiyama Kozo (Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan) ,  Ohki Toshihiro (Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan) ,  Kamada Yoichi (Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan) ,  Sato Masaru (Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan) ,  Niida Yoshitaka (Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan) ,  Okamoto Naoya (Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan) ,  Joshin Kazukiyo (Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing  (IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 29  号： 4  ページ： 370-375  発行年： 2016年 
JST資料番号： T0521A  ISSN： 0894-6507  CODEN： ITSMED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 耐湿性を高めることにより電流崩壊を抑制するメチルシルセスキオキサン(MSQ)をベースにした層間誘電体を用いたミリ波窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(GaN HEMTs)を作製し,寄生容量を減少させるためのゲート電極周辺MSQを除去した。水分子は容易にBCBを通過するので,従来のベンゾシクロブテン(BCB)の水分抵抗は,電流崩壊を抑制するには不十分であることを明らかにし,空洞ゲート構造を用いた。一方,MSQの耐湿性は優れた疎水性特性のため非常に高く,水分による電流崩壊を効果的に抑制した。,疎水性低k膜と耐湿性を改善するGaNH EMTの電流崩壊を減少させるのに重要な役割を果たし,空洞ゲート構造を用いた。さらに,GaNH EMTの寄生容量はMSQ共振器を使用することによって低減することに成功し,RF性能は約20%改善された。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 漂遊容量 ,  疎水性 ,  耐湿性 ,  共振器 ,  電流 ,  水分子 ,  *誘電体 ,  水分 ,  *EHF波
準シソーラス用語： ゲート電極 ,  GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 誘電体 ,  ミリ波 ,  EMT