Au/β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>ナノワイヤーアレイ薄膜ショットキー接合に基づく高速応答を有する電源内蔵ソーラーブラインド光検出器

CHEN Xing; LIU Kewei; ZHANG Zhenzhong; WANG Chunrui; LI Binghui; ZHAO Haifeng; ZHAO Dongxu; SHEN Dezhen

文献

J-GLOBAL ID：201602268125642836 整理番号：16A0393967

Au/β-Ga₂O₃ナノワイヤーアレイ薄膜ショットキー接合に基づく高速応答を有する電源内蔵ソーラーブラインド光検出器

Self-Powered Solar-Blind Photodetector with Fast Response Based on Au/β-Ga₂O₃ Nanowires Array Film Schottky Junction

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高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=16A0393967&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W2329A") }}

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資料名：
巻： 8 号： 6 ページ： 4185-4191 発行年： 2016年02月17日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

秘密通信や宇宙空間探査などの応用を考慮すると,高速応答と電源内蔵の能力が,ソーラーブラインド光検出器に強く求められる。β-Ga₂O₃ナノ構造に基づく垂直ショットキーフォトダイオードは,この要請に応えると考えられるがこれまで報告が無い。また,垂直ショットキーフォトダイオードは,製造工程が複雑である。本報告では,β-Ga₂O₃ナノ構造薄膜に基づく垂直ショットキーフォトダイオードを,単純な方法で製造できた。高温でのGa金属の部分酸化により,β-Ga₂O₃ナノワイヤーアレイ薄膜が表面上に形成される。同時に,良好なオーミック接触が,残留Gaとβ-Ga₂O₃ナノワイヤーアレイ薄膜の間で確立される。ショットキー電極として20nmのAu層を堆積して,垂直ショットキーフォトダイオードを実現した。素子は良好な整流特性を示し,暗電流は,-30Vで10pAであった。カットオフ端は~270nmで,ゼロバイアス(光起電モード)で動作可能であった。立ち上がりおよび減衰時間は,それぞれ~1および64μsで,高速応答性を示した。

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測光と光検出器一般 , ダイオード

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Au/β-Ga2O3ナノワイヤーアレイ薄膜ショットキー接合に基づく高速応答を有する電源内蔵ソーラーブラインド光検出器

Au/β-Ga₂O₃ナノワイヤーアレイ薄膜ショットキー接合に基づく高速応答を有する電源内蔵ソーラーブラインド光検出器