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J-GLOBAL ID:201602271942835376   整理番号:16A0564988

黄色発光(Ga,In)N/GaN多重量子井戸において最適In組成と量子井戸厚さ

Optimized In composition and quantum well thickness for yellow-emitting (Ga,In)N/GaN multiple quantum wells
著者 (9件):
資料名:
巻: 434  ページ: 25-29  発行年: 2016年01月15日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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In組成とQW厚さの種々の組み合わせを有する黄色発光InxGa1-xN/GaN多重量子井戸(MQWs)を,サファイア基板上に有機金属化学気相成長法によって成長させた。MQWの結晶品質と量子閉じ込めStark効果とのトレードオフが,室温光ルミネセンス効率を最大化することを見出すことを示す。私たちの成長条件では,MQWの最適設計は,x=0.21と3.6nmのQW厚さにおいて得られる。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
分類
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半導体薄膜  ,  半導体のルミネセンス 

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