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J-GLOBAL ID：201602272326222256   整理番号：16A0790421

マグネトロン反応スパッタリングでのALNバッファ層のGANベースLEDのデバイス性能への影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effect of AlN Buffer Layer Prepared by Reactive Magnetron Sputtering on GaN-based LEDs

著者 (8件)： Nong Mingtao (Xiangneng Hualei Optoelectronic Co.,Ltd) ,  Miao Zhenlin (Xiangneng Hualei Optoelectronic Co.,Ltd) ,  Liang Zhiyong (Xiangneng Hualei Optoelectronic Co.,Ltd) ,  Zhou Zuohua (Xiangneng Hualei Optoelectronic Co.,Ltd) ,  Cai Bingjie (Xiangneng Hualei Optoelectronic Co.,Ltd) ,  Lu Guojun (Xiangneng Hualei Optoelectronic Co.,Ltd) ,  Lin Chuanqiang (Xiangneng Hualei Optoelectronic Co.,Ltd) ,  Zhang Yu (Xiangneng Hualei Optoelectronic Co.,Ltd)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 36  号： 12  ページ： 1452-1457  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 反応直流マグネトロンスパッタリング法(RMS)をパターン化サファイア基板上に調製したALN薄膜をバッファ層として,気相有機金属化学蒸着(MOCVD)エピタクシー成長したGANベースLEDを用いる。MOCVD成長のGAN低温バッファ層と比べて,RMSで調製した表面をもつALN緩衝層により平滑で、粒子がより小さい形核島,エピタキシャルGANの横方向成長を促進し,形核島合併時の界面の数と高度差が減少し,欠陥と転位の発生の確率が低下した。に有利に働く。研究の結果,従来の低温GAN緩衝層をスパッタリングしたALN緩衝層が置換した後,エピタキシャル成長のGAN材料は,より高い結晶品質を持つ,LED輝度、漏れ電流と静電防止能力等の光電特性の上でデバイスは皆明らかに向上があり。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： パターン形成 ,  漏れ電流 ,  MOCVD ,  *反応性スパッタリング ,  界面 ,  エピタクシー ,  *バッファ層 ,  低温 ,  輝度 ,  気相 ,  *マグネトロン
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  横方向成長 ,  サファイア基板 ,  DCマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： direct-current reactive magnetron sputtering ,  AlN buffer layer ,  GaN-based LEDs ,  metal-organic chemical vapor deposition

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： マグネトロン ,  反応スパッタリング ,  AlN ,  バッファ層 ,  GaN ,  LED ,  研究