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J-GLOBAL ID：201602272681560620   整理番号：16A0857245

IN_2S_3薄膜の構造とその性能に及ぼすスパッタリングパワーの影響を【JST・京大機械翻訳】

Effect of Sputtering Power on Structure and Properties of In_2S_3 Films

著者 (10件)： Ji Yaxin (Superconductivity and New Energy R&D Center,Key Lab.of Advanced Technologies of Materials of the Ministry of Education, Southwest Jiaotong University) ,  Wang Dan (Superconductivity and New Energy R&D Center,Key Lab.of Advanced Technologies of Materials of the Ministry of Education, Southwest Jiaotong University) ,  Zhang Linji (Superconductivity and New Energy R&D Center,Key Lab.of Advanced Technologies of Materials of the Ministry of Education, Southwest Jiaotong University) ,  Yan Yong (Superconductivity and New Energy R&D Center,Key Lab.of Advanced Technologies of Materials of the Ministry of Education, Southwest Jiaotong University) ,  Ou Yufeng (Superconductivity and New Energy R&D Center,Key Lab.of Advanced Technologies of Materials of the Ministry of Education, Southwest Jiaotong University) ,  Yu Zhou (Superconductivity and New Energy R&D Center,Key Lab.of Advanced Technologies of Materials of the Ministry of Education, Southwest Jiaotong University) ,  Liu Lian (Superconductivity and New Energy R&D Center,Key Lab.of Advanced Technologies of Materials of the Ministry of Education, Southwest Jiaotong University) ,  Kan Xiang (Superconductivity and New Energy R&D Center,Key Lab.of Advanced Technologies of Materials of the Ministry of Education, Southwest Jiaotong University) ,  Zhang Yong (Superconductivity and New Energy R&D Center,Key Lab.of Advanced Technologies of Materials of the Ministry of Education, Southwest Jiaotong University) ,  Zhao Yong (Superconductivity and New Energy R&D Center,Key Lab.of Advanced Technologies of Materials of the Ministry of Education, Southwest Jiaotong University)
資料名： Bandaoti Guangdian  (Bandaoti Guangdian)
巻： 37  号： 1  ページ： 63-67  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2379A  ISSN： 1001-5868  CODEN： BAGUE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： IN_2S_3薄膜を,ガラス基板上に1段階はマグネトロンスパッタリングを用いて堆積した。スパッタリングパワーがIN_2S_3薄膜の成分、構造、表面モルフォロジーと光電性能への影響を研究した。結果:調製したすべての薄膜はいずれもΒ-IN_2S_3であり,純粋な相として存在する,また(222)優先成長特性を有する。スパッタリングパワーは、薄膜の成分と厚さは結晶化度に対して顕著な影響を有し,そしてしたがって薄膜の光学と電気的性能に影響を与える。薄膜は100 Wの堆積の際に最も近い化学量論比,薄膜の透過率はスパッタリングパワーと共に増大して500 NMの波長域の近傍では著しく向上した,幅2.45EVバンド,また電流密度が2桁増大する。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶度 ,  電流密度 ,  化学量論 ,  *薄膜 ,  透過率 ,  波長 ,  マグネトロンスパッタリング
準シソーラス用語： 光電気 ,  表面形態 ,  ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： magnetron sputtering ,  β-In_2S_3 thin films ,  sputtering power ,  transmittance

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  スパッタリング ,  パワー