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J-GLOBAL ID：201602272902036116   整理番号：16A1098601

希薄磁性半導体(Ga, Mn)としての有機分子によるにおける磁性のロバストな操作【Powered by NICT】

Robust manipulation of magnetism in dilute magnetic semiconductor (Ga, Mn)As by organic molecules

著者 (11件)： Wang Xiaolei (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Wang Hailong (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Pan Dong (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Li Lixia (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Yu Xuezhe (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Lu Jun (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Zhao Jianhua (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Keiper Timothy (Department of Physics, Florida State University, Tallahassee, Florida 32306, United States) ,  Lochner Eric (Department of Physics, Florida State University, Tallahassee, Florida 32306, United States) ,  von Molnar Stephan (Department of Physics, Florida State University, Tallahassee, Florida 32306, United States) ,  Xiong Peng (Department of Physics, Florida State University, Tallahassee, Florida 32306, United States)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： INEC  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (Ga, Mn)Asの磁性の有機分子操作を示した。種々の厚さを持つMnドープGaAs薄膜を,低温分子ビームエピタクシー(LT-MBE)により成長させた,有機電荷移動分子は溶液ベース自己集合あるいは真空熱蒸発,大きなキャリア密度変調をもたらす,およびCurie温度(T_c)と磁化(M_s)の有意な変化による(Ga, Mn)As膜の表面上に堆積した。電子ドナー(アクセプタ)分子はT_cとM_sの両方を減少(増加)ことが分かった。(Ga, Mn)As表面の適切な調製により,サブ,75ナノメータ線幅を有する有機分子の自己集合単分子層(SAM)パターンは,ディップペンナノリソグラフィー(DPN)により作成することに成功した。これらの結果は,DMS中の磁性のナノスケール操作を制御し,再構成可能な,非揮発性とハイブリッド分子ナノスピントロニクスへの応用の可能性に新しい経路を開くことができた。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーピング ,  アクセプタ ,  MBE成長 ,  *磁性 ,  キャリア密度 ,  ヒ化ガリウム ,  非揮発性 ,  電荷移動 ,  *ロバスト性 ,  Curie温度 ,  自己集合 ,  *マンガン ,  *有機化合物
準シソーラス用語： ナノスケール ,  *希薄磁性半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 数値計算  (JE02000J) ,  符号理論  (ND02030R) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 希薄磁性半導体 ,  Ga ,  Mn ,  有機分子 ,  磁性 ,  ロバスト