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J-GLOBAL ID：201602273016640363   整理番号：16A0977963

超微細化したほぼバリスティックなGeナノワイヤnMOSFETに及ぼすRTNと低周波雑音【Powered by NICT】

RTN and low frequency noise on ultra-scaled near-ballistic Ge nanowire nMOSFETs

著者 (6件)： Wangran Wu (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, U.S.A.) ,  Wu Heng (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, U.S.A.) ,  Si Mengwei (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, U.S.A.) ,  Conrad Nathan (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, U.S.A.) ,  Yi Zhao (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, 210093, China) ,  Ye Peide D. (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, U.S.A.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： VLSI Technology  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,超微細化したGeナノワイヤ(NW)nMOSFETにおけるランダムテレグラフノイズ(RTN)の最初の観測を提示した。低周波雑音に及ぼすNW形状,チャネル長,EOT,チャネルドーピングの影響を包括的に研究した。1/f特性は多くの低周波雑音を超スケールGe NW nMOSFETにおける移動度変動に起因していることを確認した。チャネル長は,電子の弾道性輸送のために80nmから微細化に40nmに低周波雑音は減少した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  移動度 ,  *精密化 ,  *低周波雑音 ,  *ゲルマニウム
準シソーラス用語： チャネル長 ,  ランダムテレグラフノイズ ,  *nMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無線通信一般  (ND08010L) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 微細化 ,  バリ ,  スティック ,  Ge ,  ナノワイヤ ,  nMOSFET ,  低周波雑音