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J-GLOBAL ID：201602273079511116   整理番号：16A1286180

増加電流生成を伴うカスケードヘテロ構造a-Si/c-Si太陽電池【Powered by NICT】

Cascaded heterostructured a-Si/c-Si solar cell with increased current production

著者 (2件)： Mil’shtein S. (Advanced Electronic Technology Center, Electrical and Computer Engineering Department, University of Massachusetts Lowell, MA, USA) ,  Zinaddinov M. (Advanced Electronic Technology Center, Electrical and Computer Engineering Department, University of Massachusetts Lowell, MA, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： PVSC  ページ： 2487-2489  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,pi n ip領域のヘテロ構造からなるカスケード太陽電池を提示した。詳細な構造は0.1μmの薄いnドープ(10~16cm~ 3)c-Siで被覆された0.01μm薄膜pドープ(10~17cm~ 3)c-Si,続いて0.44μm厚の固有(c Si)層の底層から始まる。カスケード構造の次の床は0.1μmの薄いnドープ(10~16cm~ 3)a-Siであるように設計され,厚さ0.44μmの固有(a Si)層で覆われた0.01μm厚さのpドープ(10~17cm~ 3)a-Siによる頂部に大きなエネルギーギャップ材料から構成されている。既存多重接合太陽デバイスと比較して,述べたモノリス構造は明白な利点をもつ多接合太陽電池と考えることができた。著者らのデバイスの厚さの大部分は固有層で占められている,電子-正孔対の高い発生は,集中的な再結合過程によって影響されなかった。トンネル相互接続の使用,太陽電池の全電流を減少しを避ける。c-Siのa-Siとn型のn型の薄層の間のエネルギー図で電位ステップは無視できる,すなわち共通電極を通してp-n接合からのキャリアの収集は非常に効率的であった。他の多重接合細胞以上で従来の積層では全電流はスタックにおける接合の最小電流に等しい。著者らの設計では,二個のp-i-n構造はa-Si/c-Si n型界面のために作成した共通末端に起因し,両方ともp領域を一緒に配線による電流を提供している。非晶質細胞からと相手結晶に対する電流の収集した密度は19.87mA~各2であった。モデル化したビルトイン電位,すなわち開放回路電圧は積層p-n接合で観測したよりも幾分小さかった。自験例では,約0.52Vである。しかしこの薄膜太陽電池のモデリングは,同様のSiヘテロ構造に比べて高い効率を示した。設計した太陽電池の充填因子は,FF=0.80であり,効率は22.2%であった。太陽電池の波形頂部は太陽時間数を30%増加させる。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  PN接合 ,  *太陽電池 ,  再結合 ,  相互接続 ,  界面 ,  ドーピング ,  モデリング ,  *太陽
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 ,  積層 ,  開回路電圧 ,  タンデム太陽電池 ,  多重接合 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  移動通信  (ND08030H) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (4件)： カスケード ,  ヘテロ構造 ,  Si ,  太陽電池