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J-GLOBAL ID：201602274374753411   整理番号：16A1098523

ITO薄膜抵抗温度検出器の作製と特性評価【Powered by NICT】

Fabrication and characterization of ITO thin film resistance temperature detector

著者 (3件)： Wang Yanlei (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, People’s Republic of China) ,  Zhang Congchun (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, People’s Republic of China) ,  Ding Guifu (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, People’s Republic of China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： INEC  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウムスズ酸化物(ITO)薄膜抵抗温度検出器(RTD)を本研究でRFスパッタリングによりアルミナ基板上に作製した。走査型電子顕微鏡(SEM)画像は,薄膜は平滑で緻密であることを示した。ICP試験は,ITOが,9.76のIn_2O_3/SnO_2重量比を持つことを示した。ITO膜は堆積したままの膜の(440)優先配向のIn_2O_3結晶構造であり,850°Cでのアニーリング後に(222)の優先配向を示した。高温試験は,RTDは室温から400°Cまで-2313ppm°C-1の抵抗(TCR)の負の温度係数と400~600°Cの温度で3552ppm°C -1の正のTCRを持つことを明らかにした。が600~900°Cの範囲でのTCRは-2152ppm°C~-1であることが分かった。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： アルミナ ,  結晶構造 ,  *キャラクタリゼーション ,  走査電子顕微鏡 ,  焼なまし ,  酸化スズ ,  画像 ,  *薄膜 ,  高温試験 ,  RFスパッタリング ,  優先配向 ,  *温度センサ
準シソーラス用語： NTC【係数】 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無線通信一般  (ND08010L) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (4件)： ITO薄膜 ,  温度検出器 ,  作製 ,  特性評価