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J-GLOBAL ID：201602275705705657   整理番号：16A1373687

ZrO₂/HfO₂スタックゲート誘電体を有するGe pMOSFETの改善された電気的特性

Improved Electrical Characteristics of Ge pMOSFETs With ZrO₂/HfO₂ Stack Gate Dielectric

著者 (11件)： Chen-Chien Li (Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan) ,  Kuei-Shu Chang-Liao (Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan) ,  Wei-Fong Chi (Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan) ,  Mong-Chi Li (Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan) ,  Ting-Chun Chen (Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan) ,  Tzu-Hsiang Su (Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan) ,  Yu-Wei Chang (Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan) ,  Chia-Chi Tsai (Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan) ,  Li-Jung Liu (Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan) ,  Chung-Hao Fu (Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan) ,  Chun-Chang Lu (Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 1  ページ： 12-15  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,HfO₂,ZrO₂,ZrO₂/HfO₂およびHfZrO_xゲート誘電体を有するGe pMOSFETの電気的特性の研究を報告した。ZrO₂デバイスでは,より低い等価酸化物厚さ(EOT)が得られるが,これは,その劣った誘電体/Ge界面のためにより高い界面トラップ密度(Dit)である。興味深いことに,Ge pMOSFETのDitおよびサブスレッショルドスイングは,ZrO₂/HfO₂スタックゲート誘電体によって明らかに低減された。良好な誘電体/Ge界面のおかげで,ZrO₂/HfO₂デバイスで335cm²/V-sのピーク正孔移動度を達成した。さらに,ZrO₂/HfO₂デバイスのEOTは0.62nmであり,リーク電流は2×10^-3A/cm²であった。したがって,ZrO₂/HfO₂スタックゲート誘電体は,Ge MOSFETを保証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 酸化ジルコニウム ,  酸化ハフニウム ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  煙突 ,  *ゲルマニウム ,  *MOSFET ,  *電気的性質 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *Ge ,  HfO2 ,  *pMOSFET ,  ゲート誘電体 ,  スタック ,  *電気的特性

著者キーワード (3件)： ZrO2 ,  Ge MOSFET ,  HfO2

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZrO2 ,  HfO2 ,  スタック ,  ゲート誘電体 ,  Ge ,  pMOSFET ,  電気的特性