文献

J-GLOBAL ID：201602276946027157   整理番号：16A1058817

担体選択的ポリSi/c-Si接合の動作原理:トンネリングが一部始終か?

Working principle of carrier selective poly-Si/c-Si junctions: Is tunnelling the whole story?

著者 (17件)： Peibst R. (Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, d-31860 Emmerthal, Germany) ,  Peibst R. (Institute for Electronic Materials and Devices, Leibniz Universitaet Hannover, Schneiderberg 32, d-30167 Hannover, Germany) ,  Romer U. (Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, d-31860 Emmerthal, Germany) ,  Larionova Y. (Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, d-31860 Emmerthal, Germany) ,  Rienaecker M. (Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, d-31860 Emmerthal, Germany) ,  Merkle A. (Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, d-31860 Emmerthal, Germany) ,  Folchert N. (Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, d-31860 Emmerthal, Germany) ,  Reiter S. (Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, d-31860 Emmerthal, Germany) ,  Turcu M. (Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, d-31860 Emmerthal, Germany) ,  Min B. (Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, d-31860 Emmerthal, Germany) ,  Kruegener J. (Institute for Electronic Materials and Devices, Leibniz Universitaet Hannover, Schneiderberg 32, d-30167 Hannover, Germany) ,  Tetzlaff D. (Institute for Electronic Materials and Devices, Leibniz Universitaet Hannover, Schneiderberg 32, d-30167 Hannover, Germany) ,  Bugiel E. (Institute for Electronic Materials and Devices, Leibniz Universitaet Hannover, Schneiderberg 32, d-30167 Hannover, Germany) ,  Wietler T. (Institute for Electronic Materials and Devices, Leibniz Universitaet Hannover, Schneiderberg 32, d-30167 Hannover, Germany) ,  Wietler T. (Laboratory of Nano and Quantum Engineering, Schneiderberg 32, d-30167 Hannover, Germany) ,  Brendel R. (Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, d-31860 Emmerthal, Germany) ,  Brendel R. (Institute for Solid State Physics, Leibniz Universitaet Hannover, Schneiderberg 32, d-30167 Hannover, Germany)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 158  号： P1  ページ： 60-67  発行年： 2016年12月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャリア選択的ポリSi/c-Si接合における横方向に一様なトンネリングの他に付加的な効果が無いかどうかの検討を行なった。検討項目は,(1)n⁺およびp⁺ポリSi/c-Si接合の対称的電気挙動,(2)良好な不動態化品質を持つポリSi/c-Si接合に対しても,熱処理による界面酸化物の構造的変化の透過電子顕微鏡による直接観察,(3)熱処理後の2nm以上の界面酸化物厚みに対しても低接合抵抗の達成,の三点である。酸化物層厚みの局所的減少またはピンホールによって媒介される界面酸化物における局所電流に基づいた代替的描像を提示した。この結果,局所電流によりc-Si吸収体における小数および多数キャリアに対する輸送制限が起こり,このため,再結合電流と直列抵抗間の相関が生じる。このように,ポリSi/c-Si接合は,フィッシャーモデルのような不動態化局所接触エミッタに対する古典的pn接合の描像の枠組みでも説明可能である。電子選択的コンタクト(n⁺ポリSi)およびホール選択的コンタクト(p⁺ポリSi)の両方とも,合理的な入力パラメータを用いることにより首尾一貫した記述が可能である。特に,p⁺ポリSi/c-Si接合に対して,今回提案したモデルはさらなる改善のための指針になると期待される。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  *ケイ素
準シソーラス用語： ポリSi ,  *単結晶シリコン

著者キーワード (6件)： Passivating contact ,  Polysilicon ,  Passivating contact ,  Passivation ,  Modelling ,  Silicon solar cell

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 担体 ,  ポリSi ,  動作原理 ,  トンネリング