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J-GLOBAL ID：201602276991954212   整理番号：16A1183899

GaAsナノワイヤの配向に及ぼすGa滴の濡れ,形態,およびピンホールの影響

Impact of the Ga Droplet Wetting, Morphology, and Pinholes on the Orientation of GaAs Nanowires

著者 (9件)： MATTEINI Federico (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  TUETUENCUEOGLU Goezde (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  MIKULIK Dmitry (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  VUKAJLOVIC-PLESTINA Jelena (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  POTTS Heidi (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  LERAN Jean-Baptiste (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  CARTER W. Craig (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  CARTER W. Craig (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  MORRAL Anna Fontcuberta i (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 16  号： 10  ページ： 5781-5786  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga触媒によるSi基板上でのGaAsナノワイヤのVLS成長に於いてシリコンの表面酸化物の性質が大きな影響を及ぼすことが知られている。ここでは酸化シリコン膜の化学的および形態が液体Ga核形成位置および形状を制御することを明らかにした。自然酸化膜の厚みが,表面の化学組成と濡れ性に影響を与え,酸化膜中に生成するピンポール部に凝縮するGa液滴の容積と曲率を介して,最終的なナノワイヤの核生成時間と成長形態を決定することを示した。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *ウエハ【IC】 ,  表層 ,  層 ,  *ナノワイヤ ,  配向 ,  酸化ケイ素 ,  液滴 ,  *VLS成長 ,  結晶成長 ,  核形成
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  酸化物層

分類 (5件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  コロイド化学一般  (CB11010C) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  ナノワイヤ ,  配向 ,  Ga ,  滴 ,  濡れ ,  形態 ,  ピンホール