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J-GLOBAL ID：201602278083824141   整理番号：16A0589916

抵抗スイッチング特性に及ぼすLn_0.7Sr_0.3MnO₃(Ln=PrおよびSm)ペロブスカイトマンガナイトにおけるランタニド3価カチオンの化学的および構造的影響

Chemical and Structural Effects of Lanthanide Trivalent Cation in Ln_0.7Sr_0.3MnO₃ (Ln=Pr and Sm) Perovskite Manganite on the Resistive Switching Characteristic

著者 (5件)： LEE Hong-Sub (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Sun Gyu (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  HAN Wooje (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  YEOM Geun Young (Sungkyunkwan Univ., Kyunggi-do, KOR) ,  PARK Hyung-Ho (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： Current Nanoscience  (Current Nanoscience)
巻： 12  号： 4  ページ： 477-481  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2347A  ISSN： 1573-4137  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 不明 (ARE)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *スイッチング ,  電気抵抗 ,  *ランタノイド ,  *ストロンチウム化合物 ,  *マンガン酸塩 ,  プラセオジム ,  サマリウム ,  *ペロブスカイト型結晶 ,  *マンガン鉱物 ,  カチオン ,  結晶度 ,  *RAM【メモリ】 ,  X線光電子分光法 ,  *不揮発性メモリ ,  *構造効果 ,  電流電圧特性 ,  X線回折 ,  すれすれ入射 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  MIM構造
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  マンガナイト ,  3価カチオン ,  *ReRAM ,  GAXRD ,  高抵抗状態 ,  LRS

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： スイッチング特性 ,  Sm ,  ランタニド ,  カチオン ,  化学