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J-GLOBAL ID：201602278132825430   整理番号：16A0942774

界面近傍のSiO₂微視的構造とMOS界面の電気特性からみた4H-SiC m面のウェット酸化により形成されたMOS界面の特徴

著者 (5件)： 黒山滉平 (東大 大学院工学系研究科) ,  平井悠久 (東大 大学院工学系研究科) ,  山本建策 (デンソー) ,  林真理子 (デンソー) ,  喜多浩之 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.16p-C302-3  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 構造 ,  *MOS構造 ,  電気特性 ,  二酸化ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  湿式酸化 ,  *界面 ,  *特性 ,  FTIR分光法 ,  薄膜コンデンサ ,  ATR分光法 ,  フォノン ,  容量電圧特性 ,  縦光学フォノン
準シソーラス用語： ミクロ構造 ,  *4H-SiC ,  ウエット酸化 ,  *界面特性 ,  MOSキャパシタ ,  ATR-FTIR

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 界面近傍 ,  SiO2 ,  MOS ,  界面 ,  電気特性 ,  4H-SiC ,  酸化