文献

J-GLOBAL ID：201602278171770685   整理番号：16A0654894

7nm Si CMOS技術とそれ以降のためのMISまたはMSソース/ドレイン接触方式評価【Powered by NICT】

MIS or MS? Source/drain contact scheme evaluation for 7nm Si CMOS technology and beyond

著者 (9件)： Yu Hao (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Schaekers Marc (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Demuynck Steven (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Barla Kathy (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Mocuta Anda (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Horiguchi Naoto (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Collaert Nadine (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Thean Aaron Voon-Yew (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  De Meyer Kristin (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IWJT  ページ： 19-24  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トランジスタソース/ドレインの接触抵抗は,現代のSi CMOS技術のためのボトルネックとなっている。接触解を探索するために,本論文では,金属-絶縁体-半導体(MIS)接触と接触抵抗とCMOS互換性の点で金属-半導体(MS)直接接触を比較した。p型基板上では,好ましい表面Fermi準位ピン止めが原因となった,MS接触はMIS上の絶対利点を持っている。n型基板上では,一方で,筆者らは,MIS接触は,低いSchottky障壁高さにもかかわらず,比較的高い接触抵抗率を見出した。MISの低い熱安定性も懸念材料である。一方,MS接触を用いて,予備非晶質化基づくTiシリサイド化手法を使用し,1.5×10-9Ωcm2の接触抵抗率を達成した。NMOS及びPMOSともに,MS接触はまだ一般的な接触方式ことを確認した。進行MS界面エンジニアリングを進めているCMOS技術により必要な目標接触抵抗率を到達するのを支援することができた。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *接触抵抗 ,  NMOS構造 ,  Fermi準位 ,  熱安定性 ,  絶縁材料 ,  ピン止め ,  アモルファス化 ,  ケイ化物 ,  互換性 ,  界面 ,  *CMOS ,  絶縁体
準シソーラス用語： *CMOS技術 ,  PMOS構造 ,  比接触抵抗 ,  Schottky障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  CMOS技術 ,  MIS ,  ソース ,  ドレイン ,  評価