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J-GLOBAL ID：201602278221186677   整理番号：16A0613212

SiC MOSFETボディーダイオードの特性化とモデル化【Powered by NICT】

Characterization and modeling of SiC MOSFET body diode

著者 (3件)： Peng Kang (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, U.S.A) ,  Eskandari Soheila (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, U.S.A) ,  Santi Enrico (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, U.S.A)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： APEC  ページ： 2127-2135  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,SiC MOSFETのボディダイオードの静特性とスイッチング特性を示した。SiC MOSFETのボディダイオードの静的特性化はカーブトレーサを用いて行い,SiC MOSFETのボディダイオードの誘導性スイッチング挙動を特性化するために構築した二重パルステストベンチ。SiC MOSFETのボディダイオードの逆回復は異なる順方向伝導電流,接合温度と電流転流斜面に示した。異なる用途でのSiC MOSFETのボディダイオードの性能を評価するために,SiC MOSFETのボディダイオードのシミュレーションを実行するために導入した正確な物理ベースダイオードモデル。体ダイオードモデルのパラメータ抽出法を与えた。体ダイオードモデルの検証は,シミュレーションと実験結果の良好な一致,モデルの精度を証明するを示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モデリング ,  電流 ,  *炭化ケイ素 ,  静特性 ,  *MOSFET ,  ダイオードモデル ,  *キャラクタリゼーション ,  スイッチング
準シソーラス用語： パラメータ抽出 ,  接合温度 ,  スイッチング特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 移動通信  (ND08030H) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  MOSFET ,  ダイオード ,  特性化 ,  モデル化