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J-GLOBAL ID：201602278245806710   整理番号：16A1111957

p-Ge/n-GaAsヘテロ構造の電流電圧特性への一軸性変形の効果

Effect of uniaxial deformation on the current-voltage characteristic of a p-Ge/n-GaAs heterostructure

著者 (3件)： Gadzhialiev M. M. (Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia) ,  Pirmagomedov Z. Sh. (Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia) ,  Efendieva T. N. (Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 50  号： 8  ページ： 1054-1055  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300から77Kにおいてp-Ge/n-GaAsヘテロ構造の電流電圧特性への一軸性変形の効果を6kg/cm²に達する応力下で調べた。圧力を増すと電流は順方向,逆方向ともに増したが,順方向の電流変化が一桁大きかった。変形は結晶方位も変えて調べた。圧縮方向が〈111〉に平行の際に効果は最大となった。この結果は一軸性歪センサに使える。Copyright 2016 Pleiades Publishing, Ltd. Translated into Japanese from English by JST.

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *ヒ化ガリウム ,  *素子構造 ,  *電流電圧特性 ,  *一軸 ,  *変形 ,  結晶方位 ,  化合物半導体 ,  センサ
準シソーラス用語： *一軸性 ,  *ヘテロ構造 ,  歪センサ

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  GaAs ,  ヘテロ構造 ,  電流電圧特性 ,  一軸性