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J-GLOBAL ID：201602279445368467   整理番号：16A1151402

ランダム電信雑音の特性化による高k/金属ゲートFinFETにおけるストレス時のプロービング欠陥発生【Powered by NICT】

Probing defects generation during stress in high-κ/metal gate FinFETs by random telegraph noise characterization

著者 (5件)： Puglisi Francesco Maria (DIEF - Universita` di Modena e Reggio Emilia - Via P. Vivarelli 10/1, 41125 - Italy) ,  Costantini Felipe (DIEF - Universita` di Modena e Reggio Emilia - Via P. Vivarelli 10/1, 41125 - Italy) ,  Kaczer Ben (imec - Kapeldreef 75, B-3001 Leuven - Belgium) ,  Larcher Luca (DISMI - Universita` di Modena e Reggio Emilia - Via Amendola 2, 42122 - Italy) ,  Pavan Paolo (DIEF - Universita` di Modena e Reggio Emilia - Via P. Vivarelli 10/1, 41125 - Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ESSDERC  ページ： 252-255  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ストレス時のN型FinFETの酸化物層中の欠陥の発生を報告した。欠陥生成は,ドレインおよびゲートの両方で収集したRTNトレースを用いてプローブした。使用した異なるレベル累積応力で,RTNを含む,素子の特性を監視することである応力/測定法。I_G V_GとI_D V_G測定から導き出される指標は欠陥生成チャネルから離れて生じることを示唆した。RTN解析,ドレインおよびゲートRTN事象は完全に相関のないことを示したによって確認された。異なる応力レベルでRTN特性の詳細な解析はゲート漏れ電流の増加はゲートRTN特性の変化を伴うことを示したが,ドレインRTN特性はストレスにより影響されることはまれである。これは,応力は,酸化物層中の深い欠陥生成に関連して,チャネルから遠く離れていることを証明した。この結果は平面型FETに対して報告されているものとは対照的であり,FinFET,I_D RTNの根本的原因はSILCとI_G RTNを生じるものとは異なると考えられることを示唆した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： プローブ ,  チャネル ,  *キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： SILC ,  ゲート漏れ電流 ,  酸化物層 ,  *プロービング ,  *FinFET ,  *メタルゲート ,  *電信雑音 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W) ,  パターン認識  (JE07000S) ,  無線通信一般  (ND08010L) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電信雑音 ,  特性化 ,  金属ゲート ,  FinFET ,  ストレス ,  欠陥