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J-GLOBAL ID：201602279496228970   整理番号：12A0285586

Research progress in antimonide-based high electron mobility transistors

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著者 (4件)：
Li Yanbo

Li Yanbo について

(Material Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing)

Material Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing について

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Liu Chao

Liu Chao について

(Material Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing)

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Zhang Yang

Zhang Yang について

(Material Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing)

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Zeng Yiping

Zeng Yiping について

(Material Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing)

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資料名：
Gongneng Cailiao yu Qijian Xuebao  (Gongneng Cailiao yu Qijian Xuebao)

Gongneng Cailiao yu Qijian Xuebao について


巻： 17  号： 1  ページ： 29-35  発行年： 2011年 
JST資料番号： C2096A  ISSN： 1007-4252  CODEN： GCQXFW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)
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PROGRESS

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