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J-GLOBAL ID:201602279496228970   整理番号:12A0285586

Research progress in antimonide-based high electron mobility transistors

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資料名:
巻: 17  号:ページ: 29-35  発行年: 2011年 
JST資料番号: C2096A  ISSN: 1007-4252  CODEN: GCQXFW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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