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J-GLOBAL ID：201602280705166948   整理番号：16A0651872

AC測定からの半導体薄膜における電気的接触の評価【Powered by NICT】

Evaluation of Electrical Contact in Thin Semiconducting Films From AC Measurements

著者 (2件)： Ghosh Biswajit (School of Energy Studies, Jadavpur University, Kolkata, India) ,  Mandal Ratan (School of Energy Studies, Jadavpur University, Kolkata, India)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 4  号： 4  ページ： 179-184  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-半導体(M-S)界面の電気的接触は,通常長さモデルと体積移動モードモデルの移動のようなdc測定を用いて評価した。これらの測定の調製は,高品位インフラストラクチャ設備を必要とする。さらに,金属-半導体界面での表面状態の薄膜とナノ構造存在下でdc結果を混乱させると見かけの結論を導いた。表面状態の影響は,交流測定を用いて除去することができた。漏れ容量として金属-半導体界面を考慮した数学モデルを本論文で開発した。三半導体膜,例えば,n-Si,p-CdTeとp-Cu₂OにおけるM-S静電容量の測定と開発したモデルにおけるこれらの値を置換した界面の種々のパラメータを評価した。この方法で得られた結果は,dc測定からの結果と比較し,これらは互いに同等であった。本論文の目的は,高グレード基盤に乏しい研究室へのこの方法の応用である。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  テルル化カドミウム ,  インフラストラクチャー ,  ナノ構造 ,  *半導体薄膜 ,  酸化第一銅 ,  交流 ,  *半導体 ,  静電容量 ,  数学モデル ,  界面
準シソーラス用語： 金属-半導体界面 ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 信号理論  (ND02020G) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ac ,  半導体薄膜 ,  評価