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J-GLOBAL ID：201602280736423718   整理番号：16A0994074

GaAs(100)基板上に有機金属分子線エピタキシーによって成長した歪補償InGaP/InGaP多重量子井戸構造における井戸層厚の変調と歪み緩和

Thickness modulation and strain relaxation in strain-compensated InGaP/InGaP multiple-quantum-well structure grown by metalorganic molecular beam epitaxy on GaAs (100) substrate

著者 (5件)： Mitsuhara M. (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Watanabe N. (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Yokoyama H. (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Iga R. (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Shigekawa N. (Graduate School of Engineering, Osaka City University, Osaka 588-8585, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 449  ページ： 86-91  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,太陽電池分野に向けて,約1.7eVのバンドギャップエネルギーを有する,GaAs(100)基板上の歪補償InGaP/InGaP多重量子井戸(MQW)構造の構造特性を調査してきた。透過型電子顕微鏡画像において,基板温度530°Cで成長した試料で,バリア層厚の顕著な変調を観測した。それと同時に,X線回折パターンは,歪緩和が主に量子井戸層で発生していることを暗示するものであった。基板温度が530から510°Cまで減少すると,層厚の変調と歪み緩和の両方を抑制する効果があった。さらに,量子井戸層の成長速度が増加すると,層厚の変調をさらに抑制した。室温フォトルミネッセンス(PL)発光スペクトルにおいて,510°Cで成長した試料は,530°Cで成長した試料よりも約50倍高いPL発光ピーク強度を示した。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 補償 ,  *MOCVD ,  *多重量子井戸 ,  *リン化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *緩和現象 ,  バンドギャップ ,  太陽電池 ,  基板温度 ,  透過型電子顕微鏡 ,  層 ,  膜厚 ,  X線回折 ,  *光ルミネセンス
準シソーラス用語： 歪補償 ,  *歪緩和 ,  バリア層

著者キーワード (4件)： A1. Characterization ,  A3. Metalorganic molecular beam epitaxy ,  B1. Phosphides ,  B2. Semiconducting III-V materials

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (10件)： GaAs ,  有機金属分子線エピタキシー ,  成長 ,  歪補償 ,  InGaP ,  多重量子井戸 ,  井戸 ,  層厚 ,  変調 ,  歪み緩和