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J-GLOBAL ID：201602282313339439   整理番号：16A1363036

Si(100)上のGaAsにおける界面汚染と逆位相境界密度の定量的相関

Quantitative correlation of interfacial contamination and antiphase domain boundary density in GaAs on Si(100)

著者 (9件)： Barrett C. S. C. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL, USA) ,  Lind A. G. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL, USA) ,  Bao X. (Applied Materials, Sunnyvale, CA, USA) ,  Ye Z. (Applied Materials, Sunnyvale, CA, USA) ,  Ban K. Y. (Applied Materials, Sunnyvale, CA, USA) ,  Martin P. (Applied Materials, Sunnyvale, CA, USA) ,  Sanchez E. (Applied Materials, Sunnyvale, CA, USA) ,  Xin Y. (National High Magnetic Field Laboratory, Florida State University, Tallahassee, FL, USA) ,  Jones K. S. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL, USA)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 51  号： 1  ページ： 449-456  発行年： 2016年01月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)上に有機金属化学蒸着法によってエピタキシャル成長させたGaAsの逆位相境界(APB)形成に及ぼす界面汚染の役割を研究した。Siウェハ基板の事前清浄化度を変えて残留表面汚染の相対量をコントロールした。成長GaAs膜のAPB密度は選択性APBエッチング液で調べた。界面の酸素と炭素の濃度は二次イオン質量分析で決定した。ウエーハの中心から周辺に向かってAPB密度は0.14から3.2μm^-1へと顕著に増加した。この間,GaAs/Si界面での積分炭素濃度は一桁増加し,積分酸素濃度は二桁小さいながら6倍に増加した。GaAs/Si界面を高分解能透過電子顕微鏡と高角度円環状暗視野走査型透過電子顕微鏡で分析するとAPBと非晶質界面粒子が直接関連していることが分かった。粒子には炭素がおそらくSiCが関わっており,残留汚染炭素がAPB増加の主たる原因であると考えられる。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ケイ素 ,  *ヒ化ガリウム ,  *エピタクシー ,  ウエハ【IC】 ,  *逆位相境界 ,  *不純物 ,  炭化ケイ素 ,  MOCVD ,  二次イオン質量分析 ,  炭素 ,  酸素 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  汚染 ,  表面 ,  結晶面
準シソーラス用語： Si基板 ,  高角度暗視野走査型透過電子顕微鏡 ,  表面汚染

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  質量分析  (CC03013N)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  GaAs ,  界面 ,  汚染 ,  逆位相境界 ,  密度 ,  定量 ,  相関