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J-GLOBAL ID：201602283128387764   整理番号：16A1361979

準共晶蒸気-液体-固体半導体ナノワイヤの成長をもたらす表面水素

Surface Hydrogen Enables Subeutectic Vapor-Liquid-Solid Semiconductor Nanowire Growth

著者 (5件)： SIVARAM Saujan V. (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  HUI Ho Yee (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  DE LA MATA Maria (CSIC, Catalonia, ESP) ,  ARBIOL Jordi (CSIC, Catalonia, ESP) ,  FILLER Michael A. (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 16  号： 11  ページ： 6717-6723  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,蒸気-固体界面化学が準共晶VLS化学成長を支配するとともに,触媒と付着層との間の原子輸送を支配する仕方を,直接的かつ定量的に示した。触媒がバルク金属-半導体共晶温度以下に留まる準共晶ナノワイヤ成長は疑問視されており,Au-Ge,Al-Si,Au-InAsなどのいくつかの系で確認された。本研究は,Geナノワイヤ付着層に吸着した水素原子が,触媒からの原子種の輸送をブロックし,これによって,触媒凝固を防止することを示した。この効果は,付着層への原子水素の供給によってもたらされることを明確に実証した。これはGe₂H₆流動の存在下でも,液体触媒を保持する。触媒凝固は付着層水素の十分な損失後にのみ発生し,これが成長不安定化の原因である。

シソーラス用語： 結晶化 ,  *結晶成長 ,  *半導体 ,  *ナノワイヤ ,  *水素 ,  吸着 ,  *共晶 ,  原子 ,  蒸気 ,  液体 ,  固体 ,  界面化学 ,  ゲルマニウム ,  過冷却液体 ,  金
準シソーラス用語： 共晶結晶化 ,  半導体ナノワイヤ ,  水素原子 ,  過冷液体

分類 (2件)： 金属の結晶成長  (BK13030M) ,  凝固  (WC01050M)

タイトルに関連する用語 (6件)： 共晶 ,  蒸気 ,  固体 ,  半導体ナノワイヤ ,  成長 ,  水素