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J-GLOBAL ID：201602283172731914   整理番号：16A0841624

(111)優先指向PbZr_0.53Ti_0.47O₃/Pb(Mg_1/3Nb_2/3)_0.62Ti_0.38O₃/PbZr_0.53Ti_0.47O₃3層膜の誘電体と強誘電体特性

Dielectric and ferroelectric properties of (111) preferred oriented PbZr_0.53Ti_0.47O₃/Pb(Mg_1/3Nb_2/3)_0.62Ti_0.38O₃/PbZr_0.53Ti_0.47O₃ trilayered films

著者 (7件)： Tang Yanxue (Key Laboratory of Optoelectronic Material and Device, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, People’s Republic of China) ,  Zhu Bing (Key Laboratory of Optoelectronic Material and Device, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, People’s Republic of China) ,  Wang Feifei (Key Laboratory of Optoelectronic Material and Device, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, People’s Republic of China) ,  Sun Dazhi (Key Laboratory of Optoelectronic Material and Device, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, People’s Republic of China) ,  Hu Zhijuan (Key Laboratory of Optoelectronic Material and Device, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, People’s Republic of China) ,  Qin Xiaomei (Key Laboratory of Optoelectronic Material and Device, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, People’s Republic of China) ,  Shi Wangzhou (Key Laboratory of Optoelectronic Material and Device, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, People’s Republic of China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 371  ページ： 160-163  発行年： 2016年05月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度(111)優先指向PbZr_0.53Ti_0.47O₃/Pb(Mg_1/3Nb_2/3)_0.62Ti_0.38O₃/PbZr_0.53Ti_0.47O₃(PZT/PMNT/PZT)3層強誘電体薄膜を(111)Pt/Ti/SiO₂/Si基板上に準備した。室温で,膜は2175の誘電率と0.05の誘電損を持っていて,10²と10⁵Hzの間で周波数を増やすと誘電率は1870へ減少し誘電損は0.06まで増加した。また,13.4μC/cm²の大きな残留分極と,30kV/cmの低い保磁力場の優れた飽和分極化対電場ヒステリシスループを示した。3層膜の漏洩電流密度は,4.1×10^-10A/cm²であり,これは1と140kV/cmの間で電場を増やすことで,4.0×10^-7A/cm²まで増加した。(111)優先配向PZT/PMNT/PZT3層膜のこのような特性は,自然に強誘電性コンデンサとメモリーの可能性となる。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ジルコニウム化合物 ,  チタン化合物 ,  マグネシウム化合物 ,  鉛化合物 ,  ニオブ化合物 ,  誘電体 ,  *強誘電体 ,  *誘電損失 ,  *コンデンサ

著者キーワード (4件)： PZT/PMNT/PZT trilayered thin films ,  Dielectric ,  Ferroelectric ,  Electrical insulating properties

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 優先 ,  Pb ,  誘電体 ,  強誘電体