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J-GLOBAL ID：201602283400230282   整理番号：16A1000972

新しいCdSナノロッド/g-C₃N₄ナノシート1D/2Dハイブリッドアーキテクチャ:その場成長経路と優れた可視光光電気化学性能

Novel CdS nanorods/g-C3N4 nanosheets 1-D/2-D hybrid architectures: an in situ growth route and excellent visible light photoelectrochemical performances

著者 (6件)： Li Zesheng (Development Center of Technology for Petrochemical Pollution Control and Cleaner Production of Guangdong Universitites, College of Chemical Engineering, Guangdong University of Petrochemical Technology, Maoming, Guangdong, China) ,  Liu Zhisen (Development Center of Technology for Petrochemical Pollution Control and Cleaner Production of Guangdong Universitites, College of Chemical Engineering, Guangdong University of Petrochemical Technology, Maoming, Guangdong, China) ,  Li Bolin (Development Center of Technology for Petrochemical Pollution Control and Cleaner Production of Guangdong Universitites, College of Chemical Engineering, Guangdong University of Petrochemical Technology, Maoming, Guangdong, China) ,  Li Dehao (Development Center of Technology for Petrochemical Pollution Control and Cleaner Production of Guangdong Universitites, College of Chemical Engineering, Guangdong University of Petrochemical Technology, Maoming, Guangdong, China) ,  Ge Chunyu (Institute of Biomaterial, College of Science, South China Agricultural University, Guangzhou, China) ,  Fang Yueping (Institute of Biomaterial, College of Science, South China Agricultural University, Guangzhou, China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27  号： 3  ページ： 2904-2913  発行年： 2016年03月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カドミウム含有窒化炭素ナノシート(Cd/g-C₃N₄)化合物から,g-C₃N₄ナノシート(NS)及びCdSナノロッド(NR)1D/2Dハイブリッドアーキテクチャ,即ち,CdS NR/g-C₃N₄ NSナノ複合材料を生成する効率的な“その場成長”戦略を探索した。新しい高分子/半導体ハイブリッド材料は,可視光照射下で大変高い光電気化学応答を実証する。CdS NR/g-C₃N₄ NS電極は,約100μA/cm²の最大光電流を示し,この値は,純粋なg-C₃N₄電極(約3.5μA/cm²)の約30倍である。最高の入射光子対電子変換効率(IPCE)値は,CdS NR/g-C₃N₄ NS電極の場合,最大27%であり,この値は,純粋なg-C₃N₄電極(1.2%)よりもはるかに高い。光電気化学性能の向上は,2つの半導体ナノ材料界面間の直接の物理的及び電子的接触に起因する。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化カドミウム ,  ナノロッド ,  炭素化合物 ,  窒化物 ,  ナノ構造 ,  膜 ,  グラファイト ,  *ハイブリッド複合材料 ,  可視光 ,  *光電気化学 ,  X線回折 ,  FTIR分光法 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  X線光電子分光法 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  熱重量分析 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  光電流 ,  光ルミネセンス ,  ナノ複合材料 ,  ナノシート
準シソーラス用語： CdS ,  窒化炭素

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (9件)： CdS ,  ナノロッド ,  1D ,  2D ,  ハイブリッドアーキテクチャ ,  その場成長 ,  経路 ,  可視光 ,  光電気化学