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J-GLOBAL ID：201602283508302465   整理番号：16A0930235

GaN多孔質構造の選択領域形成に関する検討

著者 (3件)： 松本悟 (北大 量集セ) ,  熊崎祐介 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.14a-P6-2  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *構造 ,  *選択 ,  効率 ,  フォトリソグラフィー ,  化合物半導体 ,  窒化物半導体 ,  領域
準シソーラス用語： *GaN ,  *多孔質構造 ,  電力変換効率

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaN ,  多孔質構造