文献

J-GLOBAL ID：201602284433843530   整理番号：16A0655178

高強度でのAlGaN/GaN HEMTによるテラヘルツ検出【Powered by NICT】

Terahertz detection by AlGaN/GaN HEMTs at high intensity

著者 (10件)： Dyakonova N. (Laboratoire Charles Coulomb, UMR 5221 CNRS-Univ. Montpellier 2, France) ,  Coquillat D. (Laboratoire Charles Coulomb, UMR 5221 CNRS-Univ. Montpellier 2, France) ,  But D.B. (Laboratoire Charles Coulomb, UMR 5221 CNRS-Univ. Montpellier 2, France) ,  Teppe F. (Laboratoire Charles Coulomb, UMR 5221 CNRS-Univ. Montpellier 2, France) ,  Knap W. (Laboratoire Charles Coulomb, UMR 5221 CNRS-Univ. Montpellier 2, France) ,  Faltermeier P. (Terahertz Centre, University of Regensburg, Germany) ,  Olbrich P. (Terahertz Centre, University of Regensburg, Germany) ,  Ganichev S. D. (Terahertz Centre, University of Regensburg, Germany) ,  Szkudlarek K. (Institute of High Pressure Physics, Warsaw, Poland) ,  Cywinski G. (Institute of High Pressure Physics, Warsaw, Poland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： MIKON  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN HEMT低および高強度のTHz放射への光応答について報告した。応答対ゲートバイアス依存性を放射強度の全範囲におけるDyakonov-Shurの理論によって記述できることを示した。光応答対強度の異常な挙動は,レーザ照射下で観察された:反応,続いて飽和の二次増加。はこの現象がAlGaNまたはバッファ層におけるトラップによる捕獲ホットエレクトロンによって説明できることを推測した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： レーザ照射 ,  *HEMT ,  ホットエレクトロン ,  放射強度 ,  バッファ層 ,  *テラヘルツ波 ,  捕獲
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム ,  光応答 ,  バイアス依存性 ,  テラヘルツ放射 ,  *AlGaN/GaN ,  *高強度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高強度 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  テラヘルツ