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J-GLOBAL ID：201602284443721956   整理番号：16A1055832

ケステライトに関する表面化学のラマン散乱による分析:太陽電池の性能に対する堆積後アニーリングとCu/Zn再規則化の効果

Raman scattering analysis of the surface chemistry of kesterites: Impact of post-deposition annealing and Cu/Zn reordering on solar cell performance

著者 (7件)： Dimitrievska Mirjana (Catalonia Institute for Energy Research (IREC), Jardins de les Dones de Negre 1 2pl., 08930 Sant Adria del Besos, Barcelona, Spain) ,  Giraldo Sergio (Catalonia Institute for Energy Research (IREC), Jardins de les Dones de Negre 1 2pl., 08930 Sant Adria del Besos, Barcelona, Spain) ,  Pistor Paul (Catalonia Institute for Energy Research (IREC), Jardins de les Dones de Negre 1 2pl., 08930 Sant Adria del Besos, Barcelona, Spain) ,  Saucedo Edgardo (Catalonia Institute for Energy Research (IREC), Jardins de les Dones de Negre 1 2pl., 08930 Sant Adria del Besos, Barcelona, Spain) ,  Perez-Rodriguez Alejandro (Catalonia Institute for Energy Research (IREC), Jardins de les Dones de Negre 1 2pl., 08930 Sant Adria del Besos, Barcelona, Spain) ,  Perez-Rodriguez Alejandro (IN2UB, Departament d′Electronica, Universitat de Barcelona, C. Marti i Franques 1, 08028 Barcelona, Spain) ,  Izquierdo-Roca Victor (Catalonia Institute for Energy Research (IREC), Jardins de les Dones de Negre 1 2pl., 08930 Sant Adria del Besos, Barcelona, Spain)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 157  ページ： 462-467  発行年： 2016年12月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カルコゲナイド系太陽電池の堆積後アニーリング(PDA)は,光電子特性を強化することが知られているが,このような改善の機構はまだ十分に理解されていない。本論文では,Cu₂ZnSnSe₄ケステライトを基本とする太陽電池を作製し,構造と機能の関係から原因となる機構を説明するために,様々な温度においてPDAを試みた。PDAの過程における吸収層/緩衝層の界面における拡散と再結晶現象を,多波長ラマン分光法とフォトルミネセンスによって研究し,光電子特性と関連づけた。異なる励起レーザー波長(442,532,785nm)を用いて,異なる深さにおける構造情報が選択的に得られ,デバイスの断面における組成および欠陥濃度の違いに関する情報が取得される。得られた結果から,完成したデバイスをPDA処理することによって,吸収層の表面およびサブ表面内の原子(銅と亜鉛)の再分布が誘起されることが分かった。吸収面は,性能向上のために部分的に関与している光電子工学上有用な欠陥であるV_CuおよびZn_Cuを生み出すCuの欠乏層およびZnを多量に含む層になることが分かった。CdS層の再結晶化によって,より良い吸収層-緩衝層界面と潜在的に優れたバンド配列が生み出されることが判明した。更に,本研究から,PDA温度によって吸収体における欠陥濃度を調整できることが明らかになった。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *銅化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  硫化物 ,  セレン化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  結晶 ,  *太陽電池 ,  *熱処理 ,  バッファ層 ,  層 ,  *再結晶 ,  固体内拡散 ,  光ルミネセンス ,  Ramanスペクトル ,  再分布 ,  光電子 ,  格子欠陥 ,  *欠陥密度 ,  *バンド構造 ,  *量子効率 ,  *電気特性
準シソーラス用語： ケステライト型結晶 ,  光吸収層 ,  外部量子効率 ,  *電流密度-電圧特性

著者キーワード (5件)： Kesterite ,  Defects ,  Solar cells ,  Raman spectroscopy ,  Optoelectronic properties

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (10件)： ケステライト ,  表面化学 ,  ラマン散乱 ,  分析 ,  太陽電池 ,  堆積 ,  アニーリング ,  Cu ,  Zn ,  規則化