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J-GLOBAL ID：201602285679345685   整理番号：16A0578199

室温で12-クラウン-4の付加反応を経由して合成されたジイソプロピルアンモニウムブロミド薄膜の成長機構および強誘電体ドメイン

The growth mechanism and ferroelectric domains of diisopropylammonium bromide films synthesized via 12-crown-4 addition at room temperature

著者 (9件)： Gao Kaige (National Laboratory of Solid State Microstructures and School of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Xu Cong ,  Cui Zepeng ,  Liu Chuang ,  Gao Linsong ,  Li Chen ,  Wu Di ,  Cai Hong-Ling ,  Wu X. S.
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 18  号： 11  ページ： 7626-7631  発行年： 2016年03月21日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジイソプロピルアンモニウムブロミド(DIPAB)は,大きな自発分極と高いCurie温度を有する分子強誘電体として大きな注目を集めている。DIPABは,室温で非強誘電相の様相を呈するために強誘電相のDIPABを成長させることは困難である。本研究では,12-クラウン-4の付加反応を経由して,水溶液からのスピンコーティングを用いて,強誘電体のDIPAB薄膜を室温でSi基板上に形成することに成功した。数百ナノメートルの厚さの強誘電体DIPAB薄膜を細長い小片の基板上に不連続的に分散させる。この分極の方向は,細長い小片に沿っている。圧電応答力顕微鏡(PFM)は,強誘電体薄膜が非帯電のアンチパラレルストライプドメインおよび帯電したhead-to-head(H-H)/tail-to-tail(T-T)型ドメインの二種類のドメイン構造を有することを示している。12-クラウン-4は,H-H/T-T型ドメインを形成する際に重要な役割を果たすことが証明されている。Chynoweth法を用いて,この方法で合成したDIPAB薄膜がDIPAB結晶よりも優れた焦電効果を示すことを明らかにした。Copyright 2016 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *付加反応 ,  薄膜 ,  機構 ,  *強誘電体 ,  構造 ,  自発分極 ,  Curie温度 ,  分極 ,  焦電体 ,  結晶 ,  力顕微鏡 ,  塩 ,  第四アンモニウム ,  スピンコーティング ,  クラウンエーテル
準シソーラス用語： *成長機構 ,  *ドメイン ,  圧電応答力顕微鏡 ,  四級アンモニウム塩

分類 (3件)： 脂肪族アミン・イミン・第四アンモニウム・インモニウム  (CF03070L) ,  八員環以上の複素環化合物  (CF07120T) ,  分子の電気的・磁気的性質  (BH05032U)

物質索引 (2件)： 12-クラウン-4 ,  ジイソプロピルアミニウム・ブロミド

タイトルに関連する用語 (7件)： 室温 ,  12-クラウン-4 ,  付加反応 ,  薄膜 ,  成長 ,  強誘電体 ,  ドメイン