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J-GLOBAL ID：201602285750752226   整理番号：16A0449252

車載向け高温Tj=175°C書換え1億回以上,エネルギー0.07mJ/8kBの90nm1T-MONOS eFlashの開発

A 90nm Embedded 1T-MONOS Flash Macro for Automotive Applications with 0.07mJ/8kB Rewrite Energy and Endurance Over 100M Cycles Under Tj of 175°C

著者 (11件)： 中西悟 (ルネサスエレクトロニクス) ,  三谷秀徳 (ルネサスエレクトロニクス) ,  松原謙 (ルネサスエレクトロニクス) ,  吉田浩 (ルネサスエレクトロニクス) ,  河野隆司 (ルネサスエレクトロニクス) ,  帯刀恭彦 (ルネサスエレクトロニクス) ,  伊藤孝 (ルネサスエレクトロニクス) ,  倉藤崇 (ルネサスエレクトロニクス) ,  野口健二 (ルネサスエレクトロニクス) ,  日高秀人 (ルネサスエレクトロニクス) ,  山内忠明 (ルネサスエレクトロニクス)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 3(ICD2016 1-15)  ページ： 77-81  発行年： 2016年04月07日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 車載用途のフラッシュメモリを混載したマイコン向けに,90nmプロセスの1T-MONOS構造を採用した混載用フラッシュマクロを開発し,リードディスターブフリーなメモリアレイ構造により,車載品質への対応を可能とした。リードディスターブだけでなく,スロープパルスの適応制御によりTj=175°Cで1億回以上の書換え耐性と書換え時の消費エネルギー0.07mJ/8kBを実現した。また,1T-MONOSベースの低消費MCUシステムにより従来システムに比べエンジン停止時の消費電力を99%削減可能とした。(著者抄録)

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  *集積回路メモリ ,  自動車 ,  耐久性 ,  消費電力 ,  素子構造 ,  マイクロプロセッサ ,  制御装置 ,  MONOS構造 ,  *埋込みメモリ
準シソーラス用語： MCU ,  *組込みメモリ ,  低消費電力

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 車載 ,  書換え ,  エネルギー ,  開発