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J-GLOBAL ID：201602285810942404   整理番号：16A1022293

厳密な電磁場の導波路方法の3次元の厚いフォトリソグラフィープロセスシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Rigorous electromagnetic field model based on waveguide method for 3D thick resist lithography simulation

著者 (6件)： Wang Yuxin (School of Electronic Science and Engineering, Southeast University) ,  Zhou Zaifa (School of Electronic Science and Engineering, Southeast University) ,  Hua Jie (School of Electronic Science and Engineering, Southeast University) ,  Wang Fei (School of Electronic Science and Engineering, Southeast University) ,  Xu Huanwen (School of Electronic Science and Engineering, Southeast University) ,  Huang Qing’an (School of Electronic Science and Engineering, Southeast University)
資料名： Qiangjiguang yu Lizishu  (Qiangjiguang yu Lizishu)
巻： 28  号： 6  ページ： 064102-1-064102-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2482A  ISSN： 1001-4322  CODEN： QYLIEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： いずれかまたは微小電気機械システム(MEMS)集積回路(IC)の分野では,SU-8厚いレジストはすでにアスペクト比の高アスペクト比の構造の主流プロセス製造のなってきた。置換に高価な手間のリソグラフィー実験のために,一組の良好な予測現像のモルフォロジーが可能で,したがってフォトリソグラフィー製造を最適化するためには有効な支援のリソグラフィーを提供するシミュレーションソフトウェアとして価値があると必要とされるツールになっている。厳密な電磁場の導波路の理論に基づき,1つのSU-8リソグラフィに対してJiao在紫外線下の三次元リソグラフィーシミュレーションモデルを提示した。このモデルを用いて,エネルギーがよく予測した現像後のレジストの分布と立体モルフォロジーJiao内光強。そして,一連のシミュレーションと実験結果によりモデルの有効性を検証するを完成した。シミュレーション結果は断面光強度プロファイルを与えると立体形状図形シミュレーション現像,そして,対応する実験結果との対照を行った。結果は,提案のシミュレーションモデルの正当性を検証した,また3次元の混合モデルを,精度を保証する前提の下で,それは他のシミュレーションアルゴリズムの演算速度が速くよりを示した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーションモデル ,  モルフォロジー ,  紫外線 ,  *導波路 ,  *フォトリソグラフィー ,  *シミュレーション ,  *リソグラフィー ,  *三次元 ,  最適化 ,  現像 ,  MEMS ,  アスペクト比
準シソーラス用語： 光強度 ,  高アスペクト比 ,  SU-8 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： lithography simulation ,  micro-electro-mechanics system ,  waveguide ,  light intensity distribution

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電磁場 ,  導波路 ,  3次元