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J-GLOBAL ID：201602285835189487   整理番号：16A0654317

HfOxとTaOxベースRRAMにおける耐久性/保持トレードオフ【Powered by NICT】

Endurance/Retention Trade Off in HfOx and TaOx Based RRAM

著者 (17件)： Azzaz M. ,  Vianello E. ,  Sklenard B. ,  Blaise P. ,  Roule A. ,  Sabbione C. ,  Bernasconi S. ,  Charpin C. ,  Cagli C. ,  Jalaguier E. ,  Jeannot S. ,  Denorme S. ,  Candelier P. ,  Yu M. ,  Nistor L. ,  Fenouillet-Beranger C. ,  Perniola L.
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IMW  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文ではTiN/TiNとTiN/Ta2O5/TaOx/TiNメモリスタックの記憶性能を比較した。最初に,バイポーラスイッチングパラメータとメモリウィンドウと耐久性に及ぼすコンプライアンス電流の効果を調べた。,耐久性とデータ保持特性は,与えられた運転電流(100μA)で比較した。Ta2O5に基づくメモリースタックは良好なメモリ窓(2桁)とデータ保持を示したが,HfO2は良好な耐久性(108サイクル)を示した。最後に,密度汎関数理論を用いたab initio計算のおかげで,導電性フィラメントの安定性は,HfOxとTaOx誘電体の両方で調べた。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  *耐久性 ,  電流 ,  *トレードオフ ,  酸化ハフニウム ,  誘電体 ,  コンプライアンス
準シソーラス用語： 導電性フィラメント ,  第一原理計算 ,  データリテンション ,  窒化チタン ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 符号理論  (ND02030R) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (2件)： RRAM ,  トレードオフ