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J-GLOBAL ID：201602285854231617   整理番号：16A0726807

二重イオンビームスパッタGaにおけるバンドアラインメント研究とプラズモン発生:ZnO/Ga:MgZnOヘテロ接合界面【Powered by NICT】

Band alignment study and plasmon generation at dual ion-beam sputtered Ga:ZnO/ Ga:MgZnO heterojunction interface

著者 (8件)： Awasthi Vishnu (Hybrid Nanodevice Research Group (HNRG), Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Indore-452020, India) ,  Garg Vivek (Hybrid Nanodevice Research Group (HNRG), Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Indore-452020, India) ,  Sengar Brajendra S. (Hybrid Nanodevice Research Group (HNRG), Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Indore-452020, India) ,  Singh Rohit (Hybrid Nanodevice Research Group (HNRG), Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Indore-452020, India) ,  Pandey Sushil Kumar (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Kumar Shailendra (Indus Synchrotron Utilization Division, Raja Ramanna Center for Advanced Technology, Indore-452013, India) ,  Mukherjee C. (Laser System Engineering Division, Raja Ramanna Center for Advanced Technology, Indore-452013, India) ,  Mukherjee Shaibal (Hybrid Nanodevice Research Group (HNRG), Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Indore-452020, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSW  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3原子%GaドープZnO(GZO)/1原子%GaドープMg_0 0.05Zn_0 0.95O(GMZO)界面での相殺フラットバンドは,-0.045及び-0.065eVの価電子帯と伝導帯オフセット値で得られた。材料は,二重イオンビームスパッタリング(DIBS)システムにより成長させ,界面におけるバンドオフセットの値は,紫外光電子分光測定により計算した。バンドオフセットは,ZnOまたはDIBS成長パラメータを変化させることによりMgとGaの元素組成を変化させることにより適切なバンドギャップ工学によって調整することができることが観察された。金属と金属酸化物ナノクラスタの形成に起因する個々のGZOとGMZO薄膜におけるプラズモンの発生が観察された。これは光散乱と捕獲機構による吸収層における光路長を増加させることにより,太陽電池の効率を増加させるという点で有望である。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *マグネシウム ,  太陽電池 ,  バンドオフセット ,  *酸化亜鉛 ,  *ガリウム ,  価電子バンド ,  *イオンビームスパッタリング ,  ナノクラスタ ,  *ヘテロ接合 ,  伝導バンド ,  *界面 ,  バンドギャップ ,  オフセット ,  *プラズモン
準シソーラス用語： *バンドアライメント , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無線通信一般  (ND08010L) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (7件)： イオンビームスパッタ ,  Ga ,  バンドアラインメント ,  研究 ,  プラズモン ,  ZnO ,  ヘテロ接合界面