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J-GLOBAL ID：201602286900370913   整理番号：16A1257143

モノ-および二層MoSe_2における歪変調励起子ギャップ【Powered by NICT】

Strain-modulated excitonic gaps in mono- and bi-layer MoSe_2

著者 (7件)： Ji Jianting (Department of Physics, Renmin University of China) ,  Zhang Anmin (Department of Physics, Renmin University of China) ,  Xia Tianlong (Department of Physics, Renmin University of China) ,  Gao Po (Department of Physics, Renmin University of China) ,  Jie Yinghao (Department of Physics, Renmin University of China) ,  Zhang Qian (Department of Physics, Renmin University of China) ,  Zhang Qingming (Department of Physics, Renmin University of China)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 7  ページ： 077802-1-077802-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一軸歪下の光ルミネセンス(PL)とRamanスペクトルは歪と共に励起子ギャップとRamanフォノンの進化を調べる比較モノ-および二層MoSe_2で測定した。は励起子ギャップの歪依存性は両フレークでほぼ線形挙動を示すことを観察した。歪増加の1%が単分子層(二重層)MoSe_2におけるA励起子ギャップ~42meV( 35 meV)の還元を示した。PL幅は単分子層MoSe_2における変化はほとんどが二重層の場合における歪とともに急速に増大する。観察された歪変調結果に関する詳細な議論を行い,単分子層および二分子層のケースの間の違いを比較した。歪下のSe Mo Se結合角によって制御される,Moの4d軌道とSeの4p軌道間のハイブリダイゼーションは観測を説明する一貫して用いることができる。研究は数層MoSe_2における励起子物理学に光を当てるであろうとその応用の基礎を提供する。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  線形性 ,  *励起子 ,  二分子層 ,  フォノン ,  単分子層 ,  *モリブデン ,  光ルミネセンス ,  *セレン ,  フレーク ,  高速度
準シソーラス用語： 二重層 ,  歪依存性 ,  一軸歪 ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 光ルミネセンス ,  ひずみ ,  低次元半導体

分類 (2件)： 生体膜一般  (EF04010G) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二層 ,  変調 ,  励起子 ,  ギャップ