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J-GLOBAL ID：201602286925922495   整理番号：16A1000319

少含有量のPb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃改質によるBi(Sc_3/4In_1/4)O₃-PbTiO₃の相遷移挙動と強化された電気的性質

Phase transitional behavior and enhanced electrical properties of Bi(Sc3/4In1/4)O3-PbTiO3 by small content Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 modification

著者 (6件)： Zhao Tian-Long (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Zhao Tian-Long (Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering, Peking University, Beijing, People’s Republic of China) ,  Wang Chun-Ming (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Chen Jianguo (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Wang Chun-Lei (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Dong Shuxiang (Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering, Peking University, Beijing, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27  号： 1  ページ： 606-612  発行年： 2016年01月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相境界(MPB)近くの(0.98-x)Bi(Sc_3/4In_1/4)O₃-PbTiO₃-0.02Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃(BSI-xPT-PMN,x=0.56~0.60)三元固溶体を設計し,二段階コロンバイトプリカーサ法で製作した。BSI-xPT-PMNセラミックの微細構造,モルフォロジ,相遷移,電気的性質を詳細に調べた。X線粉末回折解析でBSI-xPT-PMNセラミックが純粋なペロブスカイト相で,菱面体晶と正方晶相間のMPBがx=0.58に位置し,それは組成に依存する圧電性と電気機械特性によっても確認された。圧電特性は少量のPMN導入で大きく向上し,圧電定数d₃₃は二元Bi(Sc_3/4In_1/4)O₃-PbTiO₃システムの二倍になっている。最適圧電特性はMPB組成が0.40BSI-0.58PT-0.02PMNで得られ,それは403pC/Nの圧電定数d₃₃,47.2%の平面電気機械結合係数k_p,36.4μC/cm²の残留分極,421°CのCurie温度T_cを示した。更に,BSI-xPT-PMNシステムはBS-PTシステムと比べてSc₂O₃の含有量を減らしている。良好な温度安定性と共に,強化された圧電性能は,BSI-xPT-PMNセラミックを高温圧電応用のための有望候補にしている。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated into Japanese from English by JST.

シソーラス用語： *チタン酸鉛 ,  スカンジウム化合物 ,  ビスマス化合物 ,  酸素酸塩 ,  インジウム化合物 ,  *ニオブ酸塩 ,  鉛化合物 ,  マグネシウム化合物 ,  *相変態 ,  *電気的性質 ,  改質 ,  相境界 ,  固溶体 ,  化学合成 ,  *セラミック ,  微細構造 ,  モルフォロジー ,  X線回折 ,  特性 ,  定数 ,  結合係数 ,  残留分極 ,  Curie温度 ,  圧電セラミック
準シソーラス用語： X線粉末回折 ,  コロンバイト法 ,  スカンジウム酸ビスマス ,  ニオブ酸鉛 ,  圧電定数 ,  圧電特性 ,  相遷移 ,  電気機械結合係数

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (9件)： 含有量 ,  Pb ,  O3 ,  改質 ,  Bi ,  相遷移 ,  挙動 ,  強化 ,  電気的性質