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J-GLOBAL ID：201602286987999421   整理番号：16A0741396

(11-20)Al₂O₃基板上の高In量In_0.41Ga_0.59N/GaNヘテロ構造のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of high In-content In_0.41Ga_0.59N/GaN heterostructure on (11-20) Al₂O₃ substrate

著者 (14件)： Krishna Shibin (Academy of Science & Innovative Research (AcSIR), CSIR-NPLCampus, Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Krishna Shibin (Physics of Energy Harvesting Division, CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL), Dr K. S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Aggarwal Neha (Academy of Science & Innovative Research (AcSIR), CSIR-NPLCampus, Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Aggarwal Neha (Physics of Energy Harvesting Division, CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL), Dr K. S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Mishra Monu (Academy of Science & Innovative Research (AcSIR), CSIR-NPLCampus, Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Mishra Monu (Physics of Energy Harvesting Division, CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL), Dr K. S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Maurya K.K. (Sophisticated and Analytical Instrumentation, CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Kaur Mandeep (Quantum Phenomena and Applications, CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Sehgal Geetanjali (Sophisticated and Analytical Instrumentation, CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Singh Sukhveer (Sophisticated and Analytical Instrumentation, CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Dilawar Nita (Apex Level Standards & Industrial Metrology, CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Gupta Bipin Kumar (Luminescent Materials and Devices Group, Materials Physics and Engineering Division, CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL), Dr K. S. Krishnan Road, New Delhi-110012, India) ,  Gupta Govind (Academy of Science & Innovative Research (AcSIR), CSIR-NPLCampus, Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Gupta Govind (Physics of Energy Harvesting Division, CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL), Dr K. S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 658  ページ： 470-475  発行年： 2016年02月15日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： a面(11-20)サファイア基板上でのプラズマ支援分子線エピタキシーによる高インジウム量InGaN/GaNヘテロ構造の成長特性を詳細に調べた。構造解析を高分解能X線回折測定で実施している。0.15%の格子定数の低下が成長したGaN膜の高度な結晶特性を確認している。電界放出型走査型電子顕微鏡観察測定が,僅かな六角形孔食があるGaN表面の平滑な形態を明らかにした。(11-20)サファイア上の高品質にMBE成長したGaNを,高いインジウム組成(41%)を有するInGaN膜を成長させるためのテンプレートとして適用している。成長した膜の元素分布と厚みを二次イオン質量分析法によって調べ,成長構造間の鋭い界面を示している。光ルミネセンス発光スペクトルが,室温において,欠陥に関連する広帯域発光を伴う3.42eVでのGaNの鋭いバンド端近傍発光とInGaN(1.9±0.05eV)のバンド端近傍発光を示している。この調査は,a面サファイア上の構造的に高品質なIn富裕InGaN/GaNベースヘテロ構造への新しい視点を提供し,これは高効率窒化物太陽電池デバイスを開発するのに有用であろう。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  セラミック膜 ,  窒化ガリウム ,  *素子構造 ,  *エピタクシー ,  MBE成長 ,  基板 ,  *光ルミネセンス
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  プラズマ分子線エピタキシー ,  *ヘテロ構造

著者キーワード (4件)： InGaN ,  a-plane sapphire ,  MBE ,  HRXRD

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (4件)： Al2O3 ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  エピタキシャル成長