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J-GLOBAL ID：201602287019018338   整理番号：16A0611361

Si基板上のGa介助GaAsナノワイヤアレイ太陽電池の特性化【Powered by NICT】

Characterization of a Ga-Assisted GaAs Nanowire Array Solar Cell on Si Substrate

著者 (7件)： Boulanger J. P. (Dept. of Eng. Phys., McMaster Univ., Hamilton, ON, Canada) ,  Chia A. C. E. (Dept. of Eng. Phys., McMaster Univ., Hamilton, ON, Canada) ,  Wood B. (Dept. of Eng. Phys., McMaster Univ., Hamilton, ON, Canada) ,  Yazdi S. (Center for Electron Nanoscopy, Tech. Univ. of Denmark, Lyngby, Denmark) ,  Kasama T. (Center for Electron Nanoscopy, Tech. Univ. of Denmark, Lyngby, Denmark) ,  Aagesen M. (Gasp Solar ApS, Taastrup, Denmark) ,  LaPierre R. R. (Dept. of Eng. Phys., McMaster Univ., Hamilton, ON, Canada)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 6  号： 3  ページ： 661-667  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(1 1 1)基板上に単一接合コア-シェルGaAsナノワイヤ(NW)太陽電池を示した。AlInP不動態化中にカプセル化された半径方向p-i-n GaAs NWsのパターン化アレイの形成のために用いたGa支援蒸気-液体-固体成長機構。電気接触のための不動態化層の除去を最小化するためのファセット依存特性を利用した新しいデバイス作製を実証した。細胞の完全な電気的特性評価と解析を報告した。ラジアルp-i-n接合GaAs北西部を横切る静電電位分布を,軸外電子ホログラフィーにより調べた。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  半径方向 ,  *太陽電池 ,  *ナノワイヤ ,  パターン形成 ,  ファセット ,  *ガリウム ,  不動態化 ,  *ヒ化ガリウム ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： 電子線ホログラフィー ,  静電ポテンシャル ,  電気接触 ,  *ナノワイヤアレイ ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 光起電力(PV)電池 ,  ひ化ガリウム ,  ナノワイヤ

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si基板 ,  Ga ,  介助 ,  GaAs ,  ナノワイヤアレイ ,  太陽電池 ,  特性化