文献

J-GLOBAL ID：201602288183939587   整理番号：16A1237614

本論文では,絶縁性トランジスタの感性負荷の下での電圧変動率のモデリングとシミュレーションに関する研究を行った。【JST・京大機械翻訳】

Modeling and simulation of the insulated gate bipolar transistor turn-off voltage slope under inductive load

著者 (8件)： Tan Ji (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhu Yangjun (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Lu Shuojin (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Tian Xiaoli (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Teng Yuan (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Fei (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Guangyin (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Shen Qianxing (Jiangsu R&D Center for Internet of Things)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 65  号： 15  ページ： 158501-1-158501-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 絶縁バイポーラトランジスタ(IGBT)は,感性負荷の下でのパワーエレクトロニクスのために使用されることが多い。これらの結果は,電極の電圧が上昇したとき,コレクタ電流が定格電流値に保たれ,多くのエネルギー損失をもたらすことを示した。コレクタ電圧の上昇プロセスは,ゲート電極とゲート電極の間の静電容量(すなわち,静電容量)の充電過程であると考えられる。本文では、解析モデルを提案し、MUELLERの静電容量の経時変化を計算することにより、IGBTのターンオフ過程におけるコレクタの電圧値の変化を予測した。静電容量の計算において、静電容量とその端子電圧の間の依存関係を考慮するだけではなく、同時に、ターンオフ過程中に存在する大量のキャリアの静電容量への影響も考慮し、モデルをより正確にした。最後に,数値シミュレーションソフトウェアを用いて,絶縁トランジスタのターンオフプロセスをシミュレーションし,提案したモデルを検証した。シミュレーション結果はモデルの計算結果とよく一致した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  静電容量 ,  IGBT ,  ターンオフ ,  *電圧変動 ,  充電 ,  パワーエレクトロニクス ,  *モデリング ,  解析モデル ,  *電圧 ,  バイポーラトランジスタ ,  *トランジスタ
準シソーラス用語： シミュレーションソフトウェア ,  ゲート電極 ,  コレクタ電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： insulated gate bipolar transistor ,  inductive load ,  collector voltage slope ,  miller capacitance

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 論文 ,  絶縁性 ,  トランジスタ ,  感性 ,  モデリング ,  シミュレーション ,  研究