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J-GLOBAL ID：201602288214254453   整理番号：16A1078312

CH₃NH₃PbI₃/NPB/MoO₃界面の電子構造の超薄NPB中間層による修飾

Modification of Ultrathin NPB Interlayer on the Electronic Structures of the CH₃NH₃PbI₃/NPB/MoO₃ Interface

著者 (12件)： LI Lin (Central South Univ., Changsha, CHN) ,  LI Lin (Central South Univ. Forestry and Technol., Changsha, CHN) ,  LIU Xiaoliang (Central South Univ., Changsha, CHN) ,  LYU Lu (Central South Univ., Changsha, CHN) ,  WU Runsheng (Central South Univ., Changsha, CHN) ,  LIU Peng (Central South Univ., Changsha, CHN) ,  ZHANG Yuhe (Central South Univ., Changsha, CHN) ,  ZHAO Yuan (Central South Univ., Changsha, CHN) ,  WANG Hongyang (Central South Univ., Changsha, CHN) ,  NIU Dongmei (Central South Univ., Changsha, CHN) ,  YANG Junliang (Central South Univ., Changsha, CHN) ,  GAO Yongli (Univ. Rochester, New York, USA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 120  号： 32  ページ： 17863-17871  発行年： 2016年08月18日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線光電子および紫外線光電子分光法を用いて,CH₃NH₃PbI₃/MoO₃界面にNPB薄層(厚み:0~32Å)を挿入したときの,界面の電子構造の変化について調べた。NPB層は厚みが16Åになると,CH₃NH₃PbI₃とMoO₃の反応を効率よく抑制し,MoO_x層厚(1~100Å)の増加に伴うCH₃NH₃PbI₃およびMoO₃の化学量論組成からのずれを小さくできることおよびNPB層による電子構造の変化が,CH₃NH₃PbI₃→MoO₃の正孔輸送効率を改善し,エネルギー変換効率が向上すること分かった。ここで,NPBはN,N′-ジ(1-ナフチル)-N,N′-ジフェニル-(1,1-ビフェニル)-4,4′-ジアミンを表す。

シソーラス用語： *超薄膜 ,  *電子構造 ,  *酸化モリブデン ,  X線光電子分光法 ,  光電子分光法 ,  化学組成 ,  輸送現象 ,  エネルギー変換効率 ,  ペロブスカイト型結晶
準シソーラス用語： 化学量論組成 ,  *界面電子構造 ,  紫外線光電子分光法 ,  正孔輸送 ,  *中間層

分類 (2件)： その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O) ,  電池一般  (YB04010O)

物質索引 (2件)： N,N′-ジ(1-ナフチル)-N,N′-ジフェニルビフェニル-4,4′-ジアミン ,  メチルアンモニウムトリヨード鉛

タイトルに関連する用語 (5件)： NPB ,  界面 ,  電子構造 ,  中間層 ,  修飾