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J-GLOBAL ID:201602290702141969   整理番号:16A0726757

発光ダイオードのための高効率低温黄色量子ドット【Powered by NICT】

High-efficiency cryogenic temperatures yellow quantum dot for light emitting diodes
著者 (5件):
資料名:
巻: 2016  号: CSW  ページ: 1-2  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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発光III-V材料はInGaNとAlInGaP両方の化合物で550~590nmの範囲の波長の効率の著しい低下を示した。量子ドット(QD)ベースの活性層は,これらの限界のいくつかを解決する見込みを与え,黄色バンドで発光する高性能オプトエレクトロニクスデバイスに向けて興味深いルートを提供することができた。ここでは約580nm(10K)で発光する多層AlInP/AlInGaP QD系の光ルミネセンス特性を調べた。小AlInP QDサイズ(1-2 MLs)と異なるAlInGaP障壁組成の研究は,多数のQD層(>100)を積層最適化された放射再結合効率を可能にした。最も重要なことは,温度に依存する内部量子効率は180K以下の温度で同程度のAlInGaP量子井戸系より優れていたこの興味ある結果は,QDシステムによる電位保持を示し,発光ダイオード応用のための興味ある展望を示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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音声処理  ,  光通信方式・機器 
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