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J-GLOBAL ID：201602290757040233   整理番号：16A0610789

モノリシックInPフリップフロップチップを用いた5GbpsのWDMを可能にした光RAM【Powered by NICT】

WDM-Enabled Optical RAM at 5 Gb/s Using a Monolithic InP Flip-Flop Chip

著者 (6件)： Pitris S. (Sch. of Inf., Aristotle Univ. of Thessaloniki, Thessaloniki, Greece) ,  Vagionas C. (Sch. of Inf., Aristotle Univ. of Thessaloniki, Thessaloniki, Greece) ,  Tekin T. (Fraunhofer Inst. for Reliability & Microintegration, Berlin, Germany) ,  Broeke R. (Bright Photonics B.V., Maarssen, Netherlands) ,  Kanellos G. T. (Sch. of Inf., Aristotle Univ. of Thessaloniki, Thessaloniki, Greece) ,  Pleros N. (Sch. of Inf., Aristotle Univ. of Thessaloniki, Thessaloniki, Greece)
資料名： IEEE Photonics Journal  (IEEE Photonics Journal)
巻： 8  号： 2  ページ： ROMBUNNO.0600207.1-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2436A  ISSN： 1943-0655  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいモノリシックInPセット-リセットフリップフロップ(FF)チップと波長分割多重(WDM)データ符号化を用いた単一ハイブリッド集積半導体光増幅器Mach-Zehnder干渉計(SOA-MZI)ベースアクセスゲートを用いた全光スタティックランダムアクセスメモリ(RAM)セルを実験的に実証した。FFデバイスは光RAM装置の使用に成功したことを以前のFFデバイスと比較して97.8%減少したフットプリントを持つ6×2mm²InPチップである。読取と書込の両方の官能基のための5Gbpsで実証し,読み出し動作のための書き込みと0.5dBで4.6dBのパワーペナルティを有している成功とエラーフリーRAM動作。,連続フットプリント還元法と組み合わせて,40GHzを十分超える記憶速度でRAM動作を可能にするためにこのメモリアーキテクチャの理論的可能性は潜在的に電子メモリボトルネックを軽減し,計算機性能を向上させることを将来の高速全光RAM実装につながる可能性がある。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 記憶構造 ,  半導体光増幅器 ,  *リン化インジウム ,  干渉計 ,  WDM【信号】 ,  高速度 ,  SRAM ,  符号化
準シソーラス用語： エラーフリー ,  パワーペナルティ ,  官能基 ,  フットプリント , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 半導体光増幅器(SOA) ,  Mach-Zehnder干渉計(MZI) ,  光結合スイッチ ,  光学メモリ ,  光RAM

分類 (4件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  音声処理  (JE05000E) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  移動通信  (ND08030H)

タイトルに関連する用語 (4件)： InP ,  フリップフロップ ,  WDM ,  RAM