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J-GLOBAL ID：201602290767940797   整理番号：16A1151390

バルクGaN基板上の600V,低漏れ電流AlGaN/GaN MIS-HEMT【Powered by NICT】

600 V, low-leakage AlGaN/GaN MIS-HEMT on bulk GaN substrates

著者 (7件)： Alshahed M. (Institut fuer Mikroelektronik Stuttgart, Germany) ,  Alomari M. (Institut fuer Mikroelektronik Stuttgart, Germany) ,  Harendt C. (Institut fuer Mikroelektronik Stuttgart, Germany) ,  Burghartz J. N. (Institut fuer Mikroelektronik Stuttgart, Germany) ,  Wachter C. (AZUR SPACE Solar Power GmbH, Technology epitaxial materials, Heilbronn, Germany) ,  Bergunde T. (AZUR SPACE Solar Power GmbH, Technology epitaxial materials, Heilbronn, Germany) ,  Lutgen S. (III-V Semiconductor Consulting, Dresden, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ESSDERC  ページ： 202-205  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,初めて,オン状態とオフ状態動作と信頼性の観点から,自己加熱,オフ状態漏れ電流,およびトラッピング効果は最小でサファイアとシリコン基板上に同じように作製したデバイスでのバルクGaN基板上のGaNH EMTの利点,電力応用を意図した,を実証した。破壊電圧~670V,オフ状態漏れ電流1μA/mm以下のMIS-HEMTを用いて,非常に基本的な,簡単な装置の設計と技術にもかかわらず得られた。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  *窒化ガリウム ,  電力応用 ,  *漏れ電流 ,  サファイア ,  *HEMT
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  シリコンウエハ ,  トラッピング ,  自己加熱 ,  オフ状態 ,  オン状態 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (6件)： バルク ,  GaN ,  漏れ電流 ,  AlGaN ,  MIS ,  HEMT