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J-GLOBAL ID：201602290813029989   整理番号：16A0752355

SiO₂/Si₃N₄誘電体分布ブラッグ反射体に基づくUVバンド-パスフィルタの設計および製作

Design and fabrication of UV band-pass filters based on SiO₂/Si₃N₄ dielectric distributed bragg reflectors

著者 (10件)： Dai Jiangping (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing National Laboratory of Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, PR China) ,  Gao Wang (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing National Laboratory of Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, PR China) ,  Liu Bin (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing National Laboratory of Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, PR China) ,  Cao Xianlei (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing National Laboratory of Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, PR China) ,  Tao Tao (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing National Laboratory of Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, PR China) ,  Xie Zili (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing National Laboratory of Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, PR China) ,  Zhao Hong (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing National Laboratory of Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, PR China) ,  Chen Dunjun (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing National Laboratory of Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, PR China) ,  Ping Han (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing National Laboratory of Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, PR China) ,  Zhang Rong (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing National Laboratory of Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 364  ページ： 886-891  発行年： 2016年02月28日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紫外(UV)領域の種々の中央波長でのパススバンドを実現するために13.5-対SiO₂/Si₃N₄誘電体分布ブラッグ反射体(DDBR)構造の二重積層に基づく一種の光学フィルタを設計した。これらのSiO₂/Si₃N₄多層は(0001)サファイヤ基板上にプラズマ増強化学気相成長(PECVD)によりうまく製作することができた。紫外-可視分光器で測定した反射スペクトルは固定したバスバンド幅が30nmで中央パスバンドが310nmから370nmに変化する一連のバンド-パスフィルタがうまく得られたことを示している。その他,パスバンド幅が30nmから45nmに変化させることの出来る一連のフィルタも製作できる。PECVD成長パラメータをうまく制御することで,全ての試料は2乗平均平方根粗さが4.5nmより小さい平滑な表面を示した。さらに,断面走査電子顕微鏡(SEM)像はこれらのDDBR構造が設計と一致する良好な周期性を有することを示した。このことはバンド-パスフィルタ構造体が波長-窓-選択UV光検出器に適していることを示している。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *帯域フィルタ ,  プラズマCVD ,  二酸化ケイ素 ,  窒化ケイ素 ,  *積層構造 ,  *光学フィルタ
準シソーラス用語： バンドパスフィルタ ,  *紫外領域 ,  プラズマ増強CVD ,  *Bragg反射器

著者キーワード (6件)： Distributed Bragg reflector ,  Ultraviolet band-pass filter ,  Plasma-enhanced chemical deposition ,  Surface and section morphology ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  Finite-different time-domain method

分類 (1件)： 光デバイス一般  (BD06010L)

タイトルに関連する用語 (9件)： SiO2 ,  Si3N4 ,  誘電体 ,  分布 ,  ブラッグ反射 ,  バンド ,  パス ,  設計 ,  製作