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J-GLOBAL ID:201602291984802999   整理番号:16A1112262

支持放電を用いたDCマグネトロンスパッタリング法によって調製した窒化チタン(TiN)薄膜の構造,光学,電気特性に及ぼすアニーリングの影響

The effect of annealing on the structural, optical and electrical properties of Titanium Nitride (TiN) thin films prepared by DC magnetron sputtering with supported discharge
著者 (4件):
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巻: 27  号: 10  ページ: 10427-10434  発行年: 2016年10月 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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支持放電(dc三極マグネトロンスパッタリング)の存在下で,反応性DCマグネトロンスパッタリングによって,ナノ結晶窒化チタン(TiN)薄膜をガラス基板上に堆積した。負にバイアスされた高温の熱電子フィラメントをターゲットと基板間に保持し,非常に低い圧力での放電を維持するために用いた。室温(RT)で堆積したTiN膜を373,473及び573Kの種々の温度で1時間高真空中でアニーリングした。膜のモフォロジー,構造,微細構造,光学及び電気特性を評価した。RT堆積試料のチタン対窒素比は1:1であり,このことをEDAXによって確認した。XRD研究から,堆積したままのTiN薄膜は,非晶質性であり,アニーリング温度の増加と共にナノ結晶構造に変換されることが分った。TiN薄膜の結晶成長は,約373Kで始まり,(111)面に沿った優先配向を持つ面心立方構造となった。アニール温度の上昇に伴い,TiN薄膜のバンドギャップは,2.7から3.2eVに増加することが分った。TiN薄膜のフォトルミネッセンススペクトルから,360nm付近での最大発光ピークと共に可視領域における発光波長の広がりが示唆される。TiN薄膜の電気抵抗率は,アニーリング温度の上昇に伴い,1800から400μΩcmまで著しく低下することが分った。アニーリングしたTiN薄膜のAFM顕微鏡写真から,微細な粒子が大量に蓄積したことに関連する均一な表面パターンが分かる。この研究を通して,支持放電DCマグネトロン技術によって,他のスパッタリング技術と比較してより低いアニーリング温度でTiN膜の必要な物理特性を得ることが可能であることが実証された。Copyright 2016 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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その他の無機化合物の薄膜 

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