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J-GLOBAL ID:201602291992604036   整理番号:16A0790475

パワーMOSFETの高圧ナノ秒パルス源研究に基づく【JST・京大機械翻訳】

Research on high-voltage nanosecond pulse generator based on power MOSFET
著者 (7件):
資料名:
巻: 29  号: 12  ページ: 1852-1861  発行年: 2015年 
JST資料番号: C2677A  ISSN: 1000-7105  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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鈍感な火工品電安全性テストを行うためには,1つのMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)をスイッチング素子とする納秒双快に対する沿脈沖源分析と実験研究を行った。簡単に紹介し,その構造の基礎の上,重点的に高圧電界効果管のスイッチ機構から、挽MOSFET動作のタイミングおよび主な寄生パラメータを押し出力パルス波形の影響などのいくつの方面で高圧納向上秒パルス源出力パルス特性の方法と経路を詳細に分析した。実験結果は,このパルス源は,パルスをおよそ5 NS、低下に沿って約8NS,振幅300V程度の準矩形波パルス,性能指標は鈍感な火工品を満足するための電気的安全性試験の要求に沿って上昇を生じることができることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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電力変換器  ,  地質構造・テクトニクス 
タイトルに関連する用語 (4件):
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