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J-GLOBAL ID：201602292014120434   整理番号：16A1150816

CdTe正孔濃度と寿命への開回路電圧の関係【Powered by NICT】

Relationship of Open-Circuit Voltage to CdTe Hole Concentration and Lifetime

著者 (12件)： Duenow Joel N. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, USA) ,  Burst James M. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, USA) ,  Albin David S. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, USA) ,  Reese Matthew O. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, USA) ,  Jensen Soren A. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, USA) ,  Johnston Steven W. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, USA) ,  Kuciauskas Darius (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, USA) ,  Swain Santosh K. (Center for Materials Research, Washington State University, Pullman, WA, USA) ,  Ablekim Tursun (Center for Materials Research, Washington State University, Pullman, WA, USA) ,  Lynn Kelvin G. (Department of Physics, Center for Materials Research, School of Mechanical and Materials Engineering, Washington State University, Pullman, WA, USA) ,  Fahrenbruch Alan L. (Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, CA, USA) ,  Metzger Wyatt K. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, USA)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 6  号： 6  ページ： 1641-1644  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるドーパントを含む多様な単結晶太陽電池の作製と特性評価による実験的開回路電圧(V_oc)をもつバルクCdTe及びCdZnTe材料特性の相関を調べた。いくつかの異なる結晶型は900mV>V_ocに達した。相関はバルク少数キャリア寿命と正孔濃度からモデル化されたV_oc限界と一般的に一致した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単結晶 ,  太陽電池 ,  結晶 ,  キャラクタリゼーション ,  キャリア寿命 ,  ドーパント ,  *テルル化カドミウム ,  モデリング
準シソーラス用語： 材料特性 ,  テルル化亜鉛カドミウム ,  *開回路電圧 ,  *正孔濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： CdTe ,  正孔濃度 ,  寿命 ,  開回路電圧